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双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
1
作者
张宇哲
安梦雅
谢泉
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期182-188,共7页
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中...
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中,构建了金属-半导体NbSe_(2)/MSN肖特基结并使用第一性原理密度泛函理论计算研究了该肖特基结的材料特性.发现NbSe_(2)/MSN接触具有超低肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBH),这有利于纳米电子学应用.SBH可以通过施加双轴应变的方式进行有效的调控.当施加拉伸应变时能实现NbSe_(2)/MSN肖特基结由p型肖特基接触转变为p型欧姆接触,而当施加较大的压缩应变时能实现p型肖特基接触和n型肖特基接触之间的转换.我们的研究结果为MSN的2D电触点的物理特性提供了见解,并将为设计基于MSN的2D纳米器件的高性能电触点提供关键的一步.
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关键词
MoSi_(2)N_(4)
NbSe_(2)
肖特基结
欧姆接触
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职称材料
不同浓度Mg掺杂单层Janus WSSe的第一性原理研究
被引量：
1
2
作者
安梦雅
谢泉
+1 位作者
张和森
梁前
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2024年第2期124-130,共7页
二维Janus WSSe作为一种新型过渡金属硫族化合物(TMDs)材料由于其独特的面外非对称结构及众多新颖的物理特性,在自旋电子器件中具有巨大的应用潜力.本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,通过构建四种掺杂模型W_(9-x)Mg_(x)S...
二维Janus WSSe作为一种新型过渡金属硫族化合物(TMDs)材料由于其独特的面外非对称结构及众多新颖的物理特性,在自旋电子器件中具有巨大的应用潜力.本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,通过构建四种掺杂模型W_(9-x)Mg_(x)S_(9)Se_(9)(x=0、1、2、3),分别计算了不同浓度Mg掺杂单层WSSe的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂使得WSSe由直接带隙半导体变为间接带隙半导体,并且随着掺杂浓度的增加,带隙逐渐减小,费米能级穿过价带,使得掺杂体系变成P型半导体,当x=3时,掺杂体系呈现金属性.此外,掺杂体系的静态介电常数随着掺杂浓度的增加而变大,极化程度显著增强,介电函数虚部和光吸收峰都发生了红移,说明掺杂有利于可见光的吸收.并且,静态折射率随着掺杂浓度的增加而呈现上升趋势,同时消光系数的峰值也与Mg原子的掺杂浓度呈现正相关.
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关键词
Janus
WSSe
几何结构
电子结构
光学性质
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职称材料
题名
双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
1
作者
张宇哲
安梦雅
谢泉
机构
贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期182-188,共7页
基金
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目(2020-520000-83-01-324061)
国家自然科学基金(61264004)
贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(20154015))。
文摘
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中,构建了金属-半导体NbSe_(2)/MSN肖特基结并使用第一性原理密度泛函理论计算研究了该肖特基结的材料特性.发现NbSe_(2)/MSN接触具有超低肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBH),这有利于纳米电子学应用.SBH可以通过施加双轴应变的方式进行有效的调控.当施加拉伸应变时能实现NbSe_(2)/MSN肖特基结由p型肖特基接触转变为p型欧姆接触,而当施加较大的压缩应变时能实现p型肖特基接触和n型肖特基接触之间的转换.我们的研究结果为MSN的2D电触点的物理特性提供了见解,并将为设计基于MSN的2D纳米器件的高性能电触点提供关键的一步.
关键词
MoSi_(2)N_(4)
NbSe_(2)
肖特基结
欧姆接触
Keywords
MoSi_(2)N_(4)
NbSe_(2)
Schottky-junction
Ohmic contact
分类号
O65 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
不同浓度Mg掺杂单层Janus WSSe的第一性原理研究
被引量：
1
2
作者
安梦雅
谢泉
张和森
梁前
机构
贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2024年第2期124-130,共7页
基金
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(2020-520000-83-01-324061)
国家自然科学基金(61264004)
贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015)。
文摘
二维Janus WSSe作为一种新型过渡金属硫族化合物(TMDs)材料由于其独特的面外非对称结构及众多新颖的物理特性,在自旋电子器件中具有巨大的应用潜力.本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,通过构建四种掺杂模型W_(9-x)Mg_(x)S_(9)Se_(9)(x=0、1、2、3),分别计算了不同浓度Mg掺杂单层WSSe的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂使得WSSe由直接带隙半导体变为间接带隙半导体,并且随着掺杂浓度的增加,带隙逐渐减小,费米能级穿过价带,使得掺杂体系变成P型半导体,当x=3时,掺杂体系呈现金属性.此外,掺杂体系的静态介电常数随着掺杂浓度的增加而变大,极化程度显著增强,介电函数虚部和光吸收峰都发生了红移,说明掺杂有利于可见光的吸收.并且,静态折射率随着掺杂浓度的增加而呈现上升趋势,同时消光系数的峰值也与Mg原子的掺杂浓度呈现正相关.
关键词
Janus
WSSe
几何结构
电子结构
光学性质
Keywords
Janus WSSe monolayer
Geometry structure
Electronic structure
Optical properties
分类号
O417 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
张宇哲
安梦雅
谢泉
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
不同浓度Mg掺杂单层Janus WSSe的第一性原理研究
安梦雅
谢泉
张和森
梁前
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2024
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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