LCoS场序彩色显示控制器的设计 被引量：20

1

作者 耿卫东 代永平 +2 位作者 任立儒 孟志国 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期188-192,共5页

介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给... 介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给出了具体的设计方案和实现方法。 展开更多

关键词 场序彩色显示控制器 硬件描述语言 设计方案 VHDL 液晶显示器 LCoS微型显示器 LCD

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时序彩色LCoS数据接口的优化设计 被引量：11

2

作者 刘艳艳 耿卫东 +1 位作者 代永平 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期53-57,共5页

介绍一种在时序彩色LCoS微显示集成电路芯片内部运用的串入并出数据变换方法,即将外部串行输入的数据作并行输出处理,使得在同一时钟周期内可写入更多的像素数据,减少像素数据的写入时间,为液晶响应和光照留下更多的时间,保证图像亮度,... 介绍一种在时序彩色LCoS微显示集成电路芯片内部运用的串入并出数据变换方法,即将外部串行输入的数据作并行输出处理,使得在同一时钟周期内可写入更多的像素数据,减少像素数据的写入时间,为液晶响应和光照留下更多的时间,保证图像亮度,提高图像显示质量。使用该方法可以节省芯片外部管脚数目,降低产品成本。该方法在单片和三片式LCoS中都可运用。采用Verilog HDL对该数据变换模块进行设计,并进行了逻辑功能仿真,仿真结果表明该方法能将像素数据写入时间缩短约一半,能完成预期功能。 展开更多

关键词 LCOS 串入并出 数据转换 VERILOG 仿真

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EL-5825及其在微型显示系统中的应用 被引量：6

3

作者 耿卫东 张永利 +2 位作者 刘艳艳 代永平 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期549-553,共5页

介绍了可编程多通道TFT-LCD参考电压发生器专用电路EL-5825的工作原理、特点及应用。利用C8051F330单片机控制EL-5825设计了一种基于LCoS芯片的头盔显示系统电路,该设计方案具有电路结构简单、外围器件少、系统结构微型化等特点,有利于... 介绍了可编程多通道TFT-LCD参考电压发生器专用电路EL-5825的工作原理、特点及应用。利用C8051F330单片机控制EL-5825设计了一种基于LCoS芯片的头盔显示系统电路,该设计方案具有电路结构简单、外围器件少、系统结构微型化等特点,有利于实现系统的轻便灵活,提高整机性能。介绍了硬件接口电路的设计方法,给出了单片机软件流程图。 展开更多

关键词 平板显示器 TFT-LCD EL-5825 参考电压 SPI串行接口

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彩色硅基液晶显示芯片的研制 被引量：8

4

作者 代永平 孙钟林 王隆望 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第4期300-305,共6页

设计了一种适合 ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）显示技术彩色化的时序彩色方式及其相应的电路结构，叙述了运用“自顶向下”的现代ＥＤＡ设计方法，在Ｃａｄｅｎｃｅ平台上按照常规０．６μｍ的 ｎ－阱... 设计了一种适合 ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）显示技术彩色化的时序彩色方式及其相应的电路结构，叙述了运用“自顶向下”的现代ＥＤＡ设计方法，在Ｃａｄｅｎｃｅ平台上按照常规０．６μｍ的 ｎ－阱双层金属 ＣＭＯＳ艺研制彩色 ＬＣｏＳ显示芯片的全过程，并给出部分电路版图。 展开更多

关键词 LCOS 时序彩色 EDA CADENCE 仿真 液晶显示器 研制 电路结构 彩色硅基液晶显示芯片

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基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现 被引量：11

5

作者 耿卫东 张永利 +1 位作者 代永平 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第6期458-461,共4页

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时... 介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点,并给出了相关电路的设计方案。 展开更多

关键词 硅上液晶 电视 微型显示器

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彩色LCoS微型显示器设计 被引量：15

6

作者 代永平 孙钟林 耿卫东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期37-39,61,共4页

介绍一种用常规０．８μｍ的ｐ阱双层金属 ＣＭＯＳ工艺设计彩色ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）微型显示器（ＶＧＡ）的方法，并且设计了一种适合ＬＣｏＳ彩色ＶＧＡ模式显示的时序彩色方式。设计在硅基... 介绍一种用常规０．８μｍ的ｐ阱双层金属 ＣＭＯＳ工艺设计彩色ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）微型显示器（ＶＧＡ）的方法，并且设计了一种适合ＬＣｏＳ彩色ＶＧＡ模式显示的时序彩色方式。设计在硅基衬底上的数模混合电路不仅使每个基色具有１６级灰度，而且能与 ＶＬＳＩ工艺兼容。另外概述了用先进 ＣＡＤＥＮＣＥ软件设计ＬＣｏＳ芯片的一种方法，井给出部分电路版图。 展开更多

关键词 LCOS 彩色显示器 VLSI 液晶显示

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金属预置层后硒化法制备的CuInSe_2薄膜结构特性研究 被引量：5

7

作者 张加友 龚晓波 +6 位作者 刘维一 薛玉明 李凤岩 周志强 孙云 李长健 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期335-339,共5页

CuInSe2 (简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2 薄膜。薄膜的XRD图样显示 :CuInSe2 薄膜的形成与制备条件密切相关 ;在较大Cu、In原子比的范围内 ,在一定的硒化条件下 ,都可以形成以CuInSe2... CuInSe2 (简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2 薄膜。薄膜的XRD图样显示 :CuInSe2 薄膜的形成与制备条件密切相关 ;在较大Cu、In原子比的范围内 ,在一定的硒化条件下 ,都可以形成以CuInSe2 为基体的薄膜。SEM图样显示 ,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同。Cu/In接近 1时 ,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示 ,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织 ,在 6 32 .8nm激发波波长下 ,还有 2 10cm-1和 2 2 9cm-1两处的特征峰。通过光吸收测量得到CuInSe2 的带隙是 1.0 5eV ,通过电导率测量得到其激活能为 0 .4 86eV。 展开更多

关键词 后硒化 铜铟硒薄膜 结构特性 太阳电池吸收层 金属预置层

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掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究 被引量：6

8

作者 于振瑞 耿新华 +3 位作者 孙云 刘世国 孙钟林 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期132-136,共5页

对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电... 对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当接Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率为４．３５ｓｃｍ－１，迁移率为１４０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好的太阳电池窗口材料。 展开更多

关键词 固相晶化 晶核 太阳能电池 多晶硅

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用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究 被引量：5

9

作者 耿新华 孟志国 +3 位作者 王广才 孙云 陆靖谷 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期136-144,共9页

本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。

关键词 非晶硅 太阳能 电池 窗口材料

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SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响 被引量：3

10

作者 耿新华 刘世国 +3 位作者 李洪波 孙云 孙钟林 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期263-267,共5页

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改... 用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。 展开更多

关键词 SnO2/P 接触特性 填充因子 硅太阳电池 薄膜

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双拍双存储伪并行LCoS微显示器交流驱动的研究 被引量：2

11

作者 任立儒 耿卫东 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期198-200,共3页

双拍双存储式驱动的LCoS微显示器引入了一些新的问题,对此提出了应用于双拍双存储式驱动的LCoS微显示器的新的交流驱动方式,通过互补驱动信号电压和浮动公共电极电压相结合的方法,不但满足了LCoS的要求,而且降低了工作电压。

关键词 LCoS微显示器 交流驱动 液晶显示器 液晶屏 工作电压 互补驱动信号电压 浮动公共电极电压 双拍双存储伪并行

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硅基液晶显示器研究进展 被引量：1

12

作者 代永平 耿卫东 +2 位作者 孟志国 孙钟林 王隆望 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第5期363-371,共9页

硅基液晶 (LiquidCrystalonSilicon)显示器是一种反射式液晶显示器 ,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上 ,并以该晶片为基底封装液晶盒 ,因而拥有小尺寸和高显示分辨率的双重特性。详细讨论了LCoS显示器的结构和用... 硅基液晶 (LiquidCrystalonSilicon)显示器是一种反射式液晶显示器 ,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上 ,并以该晶片为基底封装液晶盒 ,因而拥有小尺寸和高显示分辨率的双重特性。详细讨论了LCoS显示器的结构和用途 ,展示了LCoS显示芯片的实际设计结果及其设计方法。 展开更多

关键词 硅基液晶显示器 LCOS 片上系统 反射式 版图 结构特点 显示屏

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高亮度LCoS微显示器的接口设计 被引量：1

13

作者 任立儒 耿卫东 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第4期275-279,共5页

为了提高LCoS微显示器的亮度 ,提出了双拍存储伪并行的驱动方式 ,设计了适用于高亮度LCoS微显示器的接口ASIC(专用集成电路 ) ,从而使LCoS微显示器的亮度可以提高数倍 。

关键词 接口设计 LCoS微显示器 场序彩色 高亮度 专用集成电路 平板显示器 双拍存储伪并行

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微型显示器及其应用 被引量：1

14

作者 代永平 孙钟林 王隆望 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期54-57,共4页

介绍了微型显示器及其应用,比较了不同微显技术的产品性能,同时分析了微显市场,概述了微显技术在中国的发展。

关键词 微型显示器 分辨率 虚拟 投影 硅基液晶

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400cm^2单结集成型a-si太阳电池的研制 被引量：1

15

作者 孙云 王广才 +2 位作者 胡景康 王宗畔 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期203-206,共4页

廉价非晶硅太阳电池的研究与发展已经有十多年的历史,目前发展的重点是提高大面积电池的效率和稳定性。我们采用全部国产化的原材料和设备,已研制出400cm^2单结集成型a-Si太阳电池,其最低、最高和平均转换效率分别为5.9％、7.88％和7.2％。

关键词 非晶硅 太阳能 电池 研制

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ADV7120在LCoS显示系统中的应用 被引量：1

16

作者 耿卫东 代永平 孙钟林 《现代电子技术》 2003年第17期53-55,共3页

ADV712 0是一种高性能视频 D/ A转换器。本文介绍了 ADV712 0的主要性能特点及在高分辨率 L Co S显示系统中的应用。

关键词 ADV7120 LCOS显示 视频D/A转换器 视频数据寄存器 视频控制寄存器

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poly—Si TFT 制作工艺探索

17

作者 张建军 吴春亚 +4 位作者 李俊峰 周祯华 孟志国 赵颖 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第1期40-45,共6页

对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的... 对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。 展开更多

关键词 poly-SiTFT 源漏接触 退火 制作工艺 准分子激光晶化 多晶硅薄膜 源漏电极

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氢化非晶硅薄膜的电场诱导锂离子注入及其光伏特性

18

作者 王宝辉 王德军 +4 位作者 李铁津 耿新华 刘世国 孙云 孙钟林 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期5-8,共4页

采用电化学方法，在电场诱导下，对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行锂离子注入，并用光电化学方法对不同条件下处理的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明，处理电位小于－０．６０Ｖ时，理离子注入明显，经... 采用电化学方法，在电场诱导下，对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行锂离子注入，并用光电化学方法对不同条件下处理的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明，处理电位小于－０．６０Ｖ时，理离子注入明显，经过注入的薄膜光伏响应提高６０％左右． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜 锂 离子注入 光伏响应 电场诱导

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室温工作HSGFET型O_3传感器的特性检测和分析

19

作者 俞梅 牛文成 +1 位作者 孙钟林 李华伟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第12期42-43,共2页

文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和 耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析。

关键词 臭氧传感器 吸附时间 脱附时间 敏感膜 室温 检测

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新型a-Si:H三脉冲准分子激光晶化法的研究

20

作者 吴春亚 张建军 +1 位作者 耿新华 孙钟林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期79-81,共3页

本文提出一种新型的降低固化速率、增大多晶硅晶粒尺寸、适于以玻璃为衬底的“三脉冲激光晶化法”，用激光晶化的热动力学数值计算模型模拟了三脉冲激光晶化条件下样品内的温度场、Ｓｉ膜的熔化深度、固化速率等特性，比较了它们与单脉... 本文提出一种新型的降低固化速率、增大多晶硅晶粒尺寸、适于以玻璃为衬底的“三脉冲激光晶化法”，用激光晶化的热动力学数值计算模型模拟了三脉冲激光晶化条件下样品内的温度场、Ｓｉ膜的熔化深度、固化速率等特性，比较了它们与单脉冲、双脉冲的不同之处，并对脉冲间延迟时间、能量密度进行了优化模拟分析，在晶化工艺参数匹配的条件下，该方法可将激光晶化的固化速率降低到０２７ｍ／ｓ，约为常规单脉冲激光晶化法的１／４．衬底加热的模拟实验结果也表明该方法能有效增大晶粒尺寸． 展开更多

关键词 激光晶化 固化速率 晶粒尺寸 三脉冲激光晶化法

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