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新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应 被引量:4
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作者 李果华 孙艳宁 +2 位作者 Woodall J M 严辉 Freeouf J L 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期845-847,共3页
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有... 为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。 展开更多
关键词 磷化铟薄膜太阳电池 光谱响应 漂移机制 内量子效率
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InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
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作者 李果华 孙艳宁 +2 位作者 Aristo Yulius Christine C.Broadbridge Jerry M.Woodall 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1022-1025,共4页
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级... 本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。 展开更多
关键词 晶格失配 InP/GaP界面 缺陷
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