期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应
被引量:
4
1
作者
李果华
孙艳宁
+2 位作者
Woodall J M
严辉
Freeouf J L
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期845-847,共3页
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有...
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。
展开更多
关键词
磷化铟薄膜太阳电池
光谱响应
漂移机制
内量子效率
在线阅读
下载PDF
职称材料
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
2
作者
李果华
孙艳宁
+2 位作者
Aristo Yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1022-1025,共4页
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级...
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
展开更多
关键词
晶格失配
InP/GaP界面
缺陷
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应
被引量:
4
1
作者
李果华
孙艳宁
Woodall J M
严辉
Freeouf J L
机构
北京工业大学量子材料实验室
耶鲁大学电子工程系
奥尔良卫生与科学大学电子及计算机工程系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期845-847,共3页
文摘
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。
关键词
磷化铟薄膜太阳电池
光谱响应
漂移机制
内量子效率
Keywords
single crystal thin film InP solar cell
drift domination
spectral response
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
2
作者
李果华
孙艳宁
Aristo Yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
机构
江南大学理学院
Department of Electrical Engineering
Department of Physics
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1022-1025,共4页
文摘
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
关键词
晶格失配
InP/GaP界面
缺陷
Keywords
lattice mismatch
InP/GaP interface
dislocations
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应
李果华
孙艳宁
Woodall J M
严辉
Freeouf J L
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
李果华
孙艳宁
Aristo Yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部