铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 被引量：6

1

作者 孙清池 王立锋 聂强 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期107-110,共4页

用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大... 用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好. 展开更多

关键词 压电陶瓷 PSN-PZN-PZT CR掺杂 压电 介电性能

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压电位移材料电场E_3和应变S_1的关系 被引量：2

2

作者 孙清池 左孝杰 +1 位作者 徐庭献 王裕斌 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2001年第3期7-10,共4页

研究了软性铌锑—锆钛酸铅Pb(Sb1/ 2 Nb1/ 2 )ZrTiO3 (简称SN)系及硬性锑锰—锆钛酸铅Pb(Mn1/ 3 Sb2 / 3 )ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3 和应变S1的关系。压电方程为S1=d3 1E3 ,在弱电场下为线性关系。随着电场增加 ,压电应变系数d3 ... 研究了软性铌锑—锆钛酸铅Pb(Sb1/ 2 Nb1/ 2 )ZrTiO3 (简称SN)系及硬性锑锰—锆钛酸铅Pb(Mn1/ 3 Sb2 / 3 )ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3 和应变S1的关系。压电方程为S1=d3 1E3 ,在弱电场下为线性关系。随着电场增加 ,压电应变系数d3 1变大 ,从而不再是常数。当电场E3 增大到某一值时d3 1有极大值 ,我们称此电场为饱和电场Es。软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 为 12 .7kV/cm ,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d3 1极大值 (-45 7pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm)。而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 和d3 1极大值 (- 2 0 2pC/N)时的饱和电场Es相等 ,均为 2 4kV/cm ,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm)。软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变。 展开更多

关键词 压电应变系统d31 退极化电场Ed 矫顽电场Ec 饱和电场Es 电滞回线 压电陶瓷 智能材料 SN系 MS系

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锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性 被引量：27

3

作者 成国祥 沈锋 +4 位作者 卢涛 万怡灶 孙清池 刘静 姚康德 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期133-135,共3页

以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０... 以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０００Ｈｚ范围内，在聚合物中加入ＰＺＴ微粒并使其极化产生压电性，可使其吸声性能增加。动态粘弹实验结果表明。 展开更多

关键词 PZT 高分子复合膜 吸声特性 锆钛酸铅 压电陶瓷

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共沉淀法制备PZT粉体及性能研究 被引量：12

4

作者 李建华 孙清池 杨会平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期704-706,共3页

采用共沉淀法，利用Pb（Ac）2·3H2O、ZrOCl2·8H2O、TiCl4为原料，以浓氨水为沉淀剂，聚乙二醇（PEG）为表面活性剂，正丁醇为助溶剂。经实验确定的最佳工艺条件是：反应物浓度为1mol／L，反应物配比为r[Pb（Ac）2]：r[ZrOCl2]... 采用共沉淀法，利用Pb（Ac）2·3H2O、ZrOCl2·8H2O、TiCl4为原料，以浓氨水为沉淀剂，聚乙二醇（PEG）为表面活性剂，正丁醇为助溶剂。经实验确定的最佳工艺条件是：反应物浓度为1mol／L，反应物配比为r[Pb（Ac）2]：r[ZrOCl2]：r[TiCl4]：r[NH3·H2O]=2：1．04；1：12，盐酸浓度为0．04～0．08mol／L，PEG浓度为0．004～0．006mol／L，反应温度为常温，反应时间为1～2h。能够制备出粒度均匀、分散性好的纳米PZT超细粉体，粒径为φ10～30nm。650℃煅烧保温2h，已完全合成为单一晶型钙钛矿PZT固溶体。1150℃烧结保温2h，然后对此压电陶瓷的相对介电常数ε^T33／ε0、介电损耗tanδ、压电应变常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、体积密度ρ、居里温度Tc等主要性能进行了测试；对显微结构及相组成进行了分析，实验数据表明可得到一种综合性能优良的压电材料。 展开更多

关键词 共沉淀 PZT压电陶瓷粉体 超微粉体 压电性能

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五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究 被引量：8

5

作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期35-38,共4页

对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。 展开更多

关键词 压电陶瓷 铌锌-铌锡-锑锰-锆钛酸铅 锶、钡取代 电滞回线

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PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究 被引量：4

6

作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 徐明霞 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期510-513,共4页

采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果... 采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明,在合成温度为860°C时可得到钙钛矿结构。烧结温度1 260°C保温3 h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为:3Tε3/0ε=1390,tanδ=0.32%,d33=303 pC/N,kp=55.1%,Qm=1 180。定量S r2+、B a2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,3Tε3/0ε=1 162,tanδ=0.30%,d33=307 pC/N,kp=56.8%,Qm=1 230。 展开更多

关键词 五元系 二次合成 准同型相界 烧结温度

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PM SZT压电陶瓷的烧结工艺研究 被引量：2

7

作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 徐明霞 韩静国 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期393-396,共4页

大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数.当然一般说来,Qm提高的话,Kp、d33就会降低,所以我们希望在保证高Qm情况下,尽可能提高压电应变系数d33和机电耦合系数Kp.微... 大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数.当然一般说来,Qm提高的话,Kp、d33就会降低,所以我们希望在保证高Qm情况下,尽可能提高压电应变系数d33和机电耦合系数Kp.微观结构对陶瓷性能有着重要的影响,通过选择合理的烧结制度改变材料的微观结构,可以提高材料的性能.本文研究升温速度和保温时间对PMSZT大功率压电陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响.结果发现升温速度过快或过慢会使材料致密性下降.烧结温度1240℃保温1h时,晶粒致密均匀,居里温度最低.随着保温时间的缩短或延长,居里温度增加.电性能在保温1 h时达最佳:ε33T/ε0=1700,d33=336×pC/N,Kp=0.655,Qm=2200,tanδ=0.0030.PMSZT陶瓷介电和压电性能良好,可以满足了大功率材料的使用要求. 展开更多

关键词 大功率压电陶瓷 升温速度 保温时间 相组成 显微结构

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SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响 被引量：5

8

作者 何杰 孙清池 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期224-227,共4页

探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相... 探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。 展开更多

关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结

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利用压电陶瓷改善液体燃料雾化质量的研究 被引量：1

9

作者 杜青 孙清池 +4 位作者 付晓梅 丁宁 王俐聪 刘涛 孙琳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第2期125-130,共6页

基于受激液体燃料射流破碎的线性不稳定性理论 ,探讨了将压电陶瓷材料作为激励器件应用于改善液体燃料射流雾化质量的可行性。选择锑锰酸铅 (PMS) -锆钛酸铅 (PZT)三元系压电陶瓷材料作为激励振子 ,实验证明 ,当压电振子的谐振频率等于... 基于受激液体燃料射流破碎的线性不稳定性理论 ,探讨了将压电陶瓷材料作为激励器件应用于改善液体燃料射流雾化质量的可行性。选择锑锰酸铅 (PMS) -锆钛酸铅 (PZT)三元系压电陶瓷材料作为激励振子 ,实验证明 ,当压电振子的谐振频率等于或接近于燃料射流的特征频率 (即最大扰动增长率频率 )时 ,由压电陶瓷振子所产生具有一定振幅的剪切模式激励对液体燃料的雾化质量有显著改善。 展开更多

关键词 压电陶瓷 液体燃料 雾化质量 内燃机

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合成工艺对五元系压电陶瓷性能的影响 被引量：1

10

作者 李建华 孙清池 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期249-252,共4页

固相法合成0．03PZN-0．03PSN-0．04PMS-0．09PZT五元系压电陶瓷，锆钛比为变量。研究了一、二次合成工艺对压电性能的影响。当采用一次合成工艺时，系统准同型相界在Zr／Ti为0．445／0．455～0．44／0．46附近；采用二次合成工艺后，... 固相法合成0．03PZN-0．03PSN-0．04PMS-0．09PZT五元系压电陶瓷，锆钛比为变量。研究了一、二次合成工艺对压电性能的影响。当采用一次合成工艺时，系统准同型相界在Zr／Ti为0．445／0．455～0．44／0．46附近；采用二次合成工艺后，系统的准同型相界向富Zr的方向发生了移动。采用二次合成工艺比一次合成工艺效果好，在烧结温度为1260℃，Zr／Ti-0．435／0．465时，性能最好，其介电损耗tan δ=0．30％；ε23^T=1143；d33=303pC／N；Qm=1233；kp=55．1％；Tc=309℃。二次合成使d33、kp、ε23^T五及矫顽场强Ec和剩余极化强度Pr都要比一次合成的试样的高。 展开更多

关键词 二次合成 五元系压电陶瓷 准同型相界 压电性能

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镨掺杂对锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

11

作者 王俐聪 孙清池 +2 位作者 高正虹 刘涛 孙琳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期30-32,共3页

用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量,镨含量为3%(摩尔比),制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明:与未掺杂PZT相比,掺镨后的PZT相界发生了移动... 用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量,镨含量为3%(摩尔比),制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明:与未掺杂PZT相比,掺镨后的PZT相界发生了移动,即移向了富锆的一端,其在锆钛比约为1.17～1.27之间;居里温度TC随锆钛比的增加而降低,在本研究的系统内,锆钛比最小和最大时分别为1.04和1.50,其相应的居里温度分别为330°C和278°C;压电系数d33、机电耦合系数kp及介电常数ε/ε0均在1.17处达最大值,d33=420pC/N,kp=0.53;极化前的ε/ε0达1400,极化后εT33/ε0达2000;介电损耗tanδ随锆钛比的增加呈上升趋势,而机械品质因数Qm大幅度下降,在锆钛比为1.17处达最小值75。 展开更多

关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 镨参杂 压电性能 介电性能

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PMSZT压电陶瓷材料的性能研究

12

作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 徐明霞 罗云飞 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期48-52,共5页

以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PMS-PZT三元系压电陶瓷。研究组成为Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3的压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能以及温度稳定性。结果表明:合成温度900℃保温2h,可以得到钙钛矿结构。烧结温度1... 以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PMS-PZT三元系压电陶瓷。研究组成为Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3的压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能以及温度稳定性。结果表明:合成温度900℃保温2h,可以得到钙钛矿结构。烧结温度1240℃保温2h时,综合性能达最佳值:3εT3/0ε=1420,d33=324pC/N,Kp=62%,Qm=2400,tanδ=0.0029。烧成温度影响谐振频率的变化率。提高烧成温度可以使正温范围的变化率提高,负温范围的变化率降低。 展开更多

关键词 三元系压电陶瓷 相组成 显微结构 电性能 温度稳定性

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PMSZT压电陶瓷的制备工艺研究

13

作者 罗云飞 陆翠敏 +1 位作者 孙清池 徐明霞 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期212-214,226,共4页

研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1 240℃时,体积密度最大,综合性能达最佳。烧银温度对陶瓷性能有一... 研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1 240℃时,体积密度最大,综合性能达最佳。烧银温度对陶瓷性能有一定影响。随着烧银温度的升高,介电常数、介电损耗、压电常数和机电耦和系数降低。最佳极化工艺为极化温度120℃,极化电压2 500 V/mm。 展开更多

关键词 合成工艺 烧结工艺 烧银工艺 极化工艺 压电陶瓷

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柠檬酸盐自蔓延法低温烧结MnZn铁氧体 被引量：6

14

作者 侯军刚 马卫兵 +2 位作者 孙凤云 王胜军 孙清池 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第5期571-573,576,共4页

以硝酸铁、硝酸锌、硝酸锰和柠檬酸为原料,利用干凝胶自蔓延燃烧工艺合成纳米级MnZn铁氧体粉体,X-衍射（XRD）分析了粉体的晶体结构。通过纳米粉体及添加助烧剂,低温合成了一系列的Mn0.6Zn0.4Fe2O4＋xBi2O3/CuO/（CuO-Bi2O3）铁氧体（x=... 以硝酸铁、硝酸锌、硝酸锰和柠檬酸为原料,利用干凝胶自蔓延燃烧工艺合成纳米级MnZn铁氧体粉体,X-衍射（XRD）分析了粉体的晶体结构。通过纳米粉体及添加助烧剂,低温合成了一系列的Mn0.6Zn0.4Fe2O4＋xBi2O3/CuO/（CuO-Bi2O3）铁氧体（x=0-5%,质量分数）。利用扫描电子显微镜（SEM）、振动样品磁强计（VSM）研究了烧结MnZn铁氧体的成相、致密化和磁性能。实验结果表明,通过制备纳米级MnZn铁氧体粉体、离子代换及添加助溶剂的作用可明显降低烧结温度,有利于控制MnZn铁氧体化学成分和显微结构,改善铁氧体的磁性能,有望用作LTCC材料。 展开更多

关键词 MNZN铁氧体 柠檬酸盐自蔓延 低温烧结 磁性能

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PMSZT压电陶瓷的镍掺杂改性研究 被引量：1

15

作者 李阳 孙清池 陆翠敏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期680-682,685,共4页

探讨了Ni2O3掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现,合成温度900℃时可以得到钙钛矿结构。随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动,且居里温度... 探讨了Ni2O3掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现,合成温度900℃时可以得到钙钛矿结构。随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动,且居里温度增加。掺杂w(Ni2O3)=0.05%时,rε、d33、kp和Qm达到最佳值:rε=1 780、tanδ=0.003 5、d33=375 pC/N、kp=0.665、Qm=2 580。谐振频率变化率随温度变化由正到负。体系适于大功率陶瓷材料的应用。 展开更多

关键词 PMSZT 相组成 显微结构 电性能 温度稳定性

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制备工艺对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷结构和性能的影响 被引量：1

16

作者 周华 孙清池 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第11期95-98,共4页

通过二次合成工艺制备了0.25 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.15Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-zPbZrO3-wPbTiO3四元系压电陶瓷,其中w/z=1.6～1.65.研究了合成温度、烧结温度和极化等制备工艺对材料结构和性能的影响.结果表明:在合成温度为1050℃/860℃,烧结温... 通过二次合成工艺制备了0.25 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.15Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-zPbZrO3-wPbTiO3四元系压电陶瓷,其中w/z=1.6～1.65.研究了合成温度、烧结温度和极化等制备工艺对材料结构和性能的影响.结果表明:在合成温度为1050℃/860℃,烧结温度为1180℃,极化场强为5000V/mm时,材料具有良好的综合性能,其各项主要参数为:d33=(610～633)pC/N,Tc=234～235℃,εT33/ε0=3950～4015,Qm=81,Kp=0.63～0.66,tanδ=(1.7～2.0)%. 展开更多

关键词 合成温度 制备工艺 合成工艺 烧结温度 压电陶瓷 PZT TANΔ PMN 影响 研究

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多层压电陶瓷位移控制器结构的强度与优化分析

17

作者 林玉 亢一澜 +1 位作者 孙清池 仇巍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期77-80,共4页

从结构强度分析的角度对多层压电结构陶瓷位移控制器在电极端部区域容易断裂而至使系统工作失效这一应用问题进行了研究,采用云纹干涉实验测试与有限元数值模拟相结合的方法讨论了导致破坏的原因,用数值分析法分析了电极尖端不均匀电场... 从结构强度分析的角度对多层压电结构陶瓷位移控制器在电极端部区域容易断裂而至使系统工作失效这一应用问题进行了研究,采用云纹干涉实验测试与有限元数值模拟相结合的方法讨论了导致破坏的原因,用数值分析法分析了电极尖端不均匀电场奇异性引起的应力集中。在保证加工工艺可行和结构功能不变的前提下,从几何构形的角度提出了两种多层压电结构几何优化模型并验证了其中一种优化模型可以有效的缓释应力集中,从结构可靠性的角度证明是一种有效的优化设计方案。 展开更多

关键词 多层结构 压电陶瓷 云纹干涉 ABAQUS 优化模型

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