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萘酚基酚醛树脂的合成及其在lift-off光刻胶中的应用
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作者 孙小侠 司树伟 +2 位作者 郑祥飞 刘敬成 穆启道 《影像科学与光化学》 CAS 2020年第4期609-614,共6页
首先以α-萘酚、间甲酚、甲醛为单体,通过缩聚反应合成了萘酚基酚醛树脂NAPR,随后与二碳酸二叔丁酯(DBDC)反应制备了一系列t-BOC改性的萘酚基酚醛树脂NAPR-BOC。用红外(FT-IR)、核磁(1 H NMR)、凝胶色谱(GPC)、热失重分析(TGA)对其结构... 首先以α-萘酚、间甲酚、甲醛为单体,通过缩聚反应合成了萘酚基酚醛树脂NAPR,随后与二碳酸二叔丁酯(DBDC)反应制备了一系列t-BOC改性的萘酚基酚醛树脂NAPR-BOC。用红外(FT-IR)、核磁(1 H NMR)、凝胶色谱(GPC)、热失重分析(TGA)对其结构及性能进行了表征。以NAPR-BOC-2为基体树脂配制成lift-off光刻胶,测试了光刻胶的分辨率、形貌和耐热性,得到的光刻胶分辨率最大为0.6μm,耐热可达130℃。 展开更多
关键词 Α-萘酚 酚醛树脂 正性光刻胶 NAPR-BOC LIFT-OFF
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化学增幅型光刻胶材料研究进展 被引量:6
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作者 郑祥飞 孙小侠 +3 位作者 刘敬成 穆启道 刘仁 刘晓亚 《影像科学与光化学》 CAS 2020年第3期392-408,共17页
芯片集成度的提高促使光刻胶向高分辨率方向发展,光刻技术由紫外全谱曝光发展到单一短波长曝光,为满足光刻胶高感度、高分辨率的要求,化学增幅型光刻胶应运而生。“化学增幅”可以提高光刻胶的量子产率,增强光刻胶感度,在深紫外、极紫... 芯片集成度的提高促使光刻胶向高分辨率方向发展,光刻技术由紫外全谱曝光发展到单一短波长曝光,为满足光刻胶高感度、高分辨率的要求,化学增幅型光刻胶应运而生。“化学增幅”可以提高光刻胶的量子产率,增强光刻胶感度,在深紫外、极紫外光刻中得到广泛应用。而高性能树脂作为光刻胶的成膜剂,对光刻胶的性能有重要影响,不同的树脂结构对应不同的反应机理。本文重点对化学增幅型光刻胶中的脱保护、重排、分子内脱水、酯化缩聚、交联、解聚等反应进行了总结,并介绍了对应的树脂结构。 展开更多
关键词 化学增幅 光刻胶 感度 成膜树脂 反应机理
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含N-苯基马来酰亚胺甲基丙烯酸酯共聚物的合成及其在负性光致抗蚀剂中的应用 被引量:5
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作者 刘敬成 郑祥飞 +3 位作者 林立成 穆启道 孙小侠 刘晓亚 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期230-237,共8页
以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-苯基马来酰亚胺(N-PMI)、甲基丙烯酸环己基酯(CHMA)为反应单体,通过自由基共聚合成了一系列共聚物PMMNC,然后与甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)反应制备了甲基丙烯酸酯共聚物G-PMMNC。利用傅立叶... 以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-苯基马来酰亚胺(N-PMI)、甲基丙烯酸环己基酯(CHMA)为反应单体,通过自由基共聚合成了一系列共聚物PMMNC,然后与甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)反应制备了甲基丙烯酸酯共聚物G-PMMNC。利用傅立叶红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1 HNMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、差示扫描量热(DSC)等表征了共聚物的结构与性能。随着N-PMI含量的升高,共聚物的分子量增大,玻璃化转变温度升高;以G-PMMNC为基体树脂制备了光致抗蚀剂,考察了光致抗蚀剂的耐酸性和分辨率,研究结果表明,该光致抗蚀剂的耐酸性良好,分辨率为40μm。 展开更多
关键词 N-苯基马来酰亚胺 甲基丙烯酸酯共聚物 光致抗蚀剂 分辨率
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基于交联型丙烯酸酯类共聚物的Krf光刻胶分析
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作者 耿文练 秦龙 孙小侠 《集成电路应用》 2022年第9期32-35,共4页
阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足。通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类... 阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足。通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类共聚物,由于其独特的交联网状结构,该树脂与非交联型的树脂相比,其可以显著增强光刻胶树脂在刻蚀工艺中抗刻蚀性能。将该交联型共聚物配制成Krf光刻胶,经测试该光刻胶满足集成电路芯片制造中耐蚀刻要求,并且满足Dense和ISO光刻图形分辨率达到140nm的工艺要求。 展开更多
关键词 集成电路制造 交联型 丙烯酸酯类共聚物 光刻胶 分辨率 刻蚀
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