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题名两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响
被引量：2
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作者
孙宇澄
李雪冬
周圆苑
朱基亮
肖定全
朱建国
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机构
四川大学材料科学与工程学院
绵阳师范学院物理与电子信息工程系
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期718-720,727,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60771016)
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文摘
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。
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关键词
射频磁控溅射
0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)
薄膜
快速退火(RTA)
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Keywords
RF magnetron sputtering
PSTT5
thin films, RTA
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
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题名用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究
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作者
李健平
钱正洪
白茹
孙宇澄
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机构
杭州电子科技大学磁电子中心
四川大学材料科学与工程学院
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出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第S2期83-85,共3页
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基金
科技部973子课题(No.2011CBA00602)
浙江省重大科技专项(No.2011C11047)
+1 种基金
浙江省教育厅"磁电子材料和器件"创新团队(No.2009[171])
浙江省科技厅创新团队(No.2010R50010)资助
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文摘
用磁控溅射法制备了被钉扎层为CoFe/Ru/CoFe的IrMn基底钉扎自旋阀材料,制备过程中自由层与被钉扎层的生长磁保持不变,制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9.30%。在245℃的真空(<10-5Pa)环境下,对在相同条件下制备的自旋阀材料样品在恒定外加磁场下退火2 h,退火磁场方向与自由层易磁化轴垂直,退火磁场大小分别为1 kOe,3 kOe,5 kOe,7 kOe。用四探针法测试了退火后材料的磁电阻曲线。实验发现,当退火磁场为5 kOe时,自旋阀材料的钉扎方向完全转到与自由层易磁化轴垂直的方向,并且保持了退火前的的巨磁电阻率。当退火磁场增大为7 kOe时,退火后自旋阀材料的巨磁电阻率增大到10.19%。
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关键词
CoFe/Ru/CoFe
自旋阀
退火
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Keywords
CoFe/Ru/CoFe,spin valve,annealing
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分类号
TG156.2
[金属学及工艺—热处理]
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