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SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响
被引量：
7
1
作者
孙增标
刘玉岭
+2 位作者
刘效岩
闫宝华
张研
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期72-74,共3页
在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用...
在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。
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关键词
化学机械抛光
SiO2/CeO2混合磨料
去除速率
表面粗糙度
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职称材料
太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进
被引量：
6
2
作者
闫宝华
檀柏梅
+3 位作者
刘玉岭
孙增标
申晓宁
张研
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第11期695-699,共5页
通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化...
通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化对金字塔绒面微观形貌的影响做了分析。最终通过大量实验得到,用质量分数为4%的Na2SiO3和2%的Na3PO4混合溶液在78℃腐蚀60min,单晶Si片表面可获得最佳反射率为11.98%的减反射绒面。单晶Si片表面的反射率优于单独使用Na2SiO3溶液腐蚀,更重要的是制得了很好的均匀性表面。
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关键词
单晶硅
太阳电池
电化学清洗
绒面
各向异性腐蚀
转换效率
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职称材料
题名
SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响
被引量：
7
1
作者
孙增标
刘玉岭
刘效岩
闫宝华
张研
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期72-74,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(10676008)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007)
河北省重点学科冀教高资助项目(2001-18)
文摘
在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。
关键词
化学机械抛光
SiO2/CeO2混合磨料
去除速率
表面粗糙度
Keywords
CMP
SiO2/CeO2 slurry
removal rate
surface roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进
被引量：
6
2
作者
闫宝华
檀柏梅
刘玉岭
孙增标
申晓宁
张研
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第11期695-699,共5页
文摘
通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化对金字塔绒面微观形貌的影响做了分析。最终通过大量实验得到,用质量分数为4%的Na2SiO3和2%的Na3PO4混合溶液在78℃腐蚀60min,单晶Si片表面可获得最佳反射率为11.98%的减反射绒面。单晶Si片表面的反射率优于单独使用Na2SiO3溶液腐蚀,更重要的是制得了很好的均匀性表面。
关键词
单晶硅
太阳电池
电化学清洗
绒面
各向异性腐蚀
转换效率
Keywords
monocrystalline silicon solar cell electrochemical cleaning texturization anisotropic etching conversion efficiency
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响
孙增标
刘玉岭
刘效岩
闫宝华
张研
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
7
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职称材料
2
太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进
闫宝华
檀柏梅
刘玉岭
孙增标
申晓宁
张研
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
6
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职称材料
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