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氧化镓射频器件研究进展
1
作者 郁鑫鑫 沈睿 +4 位作者 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期1-11,共11页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频器件领域的优势和面临的挑战,然后综述了近年来Ga_(2)O_(3)射频器件在体掺杂沟道、AlGaO/Ga_(2)O_(3)调制掺杂异质结以及与高导热衬底异质集成方面取得的进展,并对研究结果进行了讨论,最后展望了未来Ga_(2)O_(3)射频器件的发展前景。 展开更多
关键词 氧化镓 超宽禁带 射频器件
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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
2
作者 赵亮 杨扬 +7 位作者 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期22-27,共6页
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三... 基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路,可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考。 展开更多
关键词 碳纳米管 射频 放大器
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65GHz薄膜铌酸锂电光强度调制器
3
作者 顾晓文 钱广 +4 位作者 王琛全 戴姜平 唐杰 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于自主101.6mm(4英寸)硅基绝缘体上薄膜铌酸锂(Lithium niobate-on-insulator,LNOI)工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm),研究了低损耗LNOI光波导、低应力... 南京电子器件研究所基于自主101.6mm(4英寸)硅基绝缘体上薄膜铌酸锂(Lithium niobate-on-insulator,LNOI)工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm),研究了低损耗LNOI光波导、低应力低损耗氧化硅生长等核心工艺,突破了宽带、低插入损耗LNOI调制器技术。调制器芯片典型插入损耗≤5dB(如图2所示),3dB调制带宽>65GHz(如图3所示),射频半波电压V_(π)=3.3 V@50 kHz(如图4所示),射频回波损耗>10dB,消光比>20dB。该芯片具有小尺寸、低插损、低半波电压、高带宽的特点,可应用于微波光子、数字光传输等领域。 展开更多
关键词 低插入损耗 铌酸锂 芯片尺寸 微波光子 调制带宽 回波损耗 光波导 光传输
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硅基GaN功率器件与驱动集成设计
4
作者 严张哲 周建军 孔月婵 《电子技术应用》 2025年第5期15-20,共6页
为满足高频电源模块的应用需求,设计了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驱动电路和300 V功率管,有效减少分立式封装所带来的寄生电感,集成化设计能够提升芯片抗噪声能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工艺平台进行制备,采用E/D模集成电路设计... 为满足高频电源模块的应用需求,设计了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驱动电路和300 V功率管,有效减少分立式封装所带来的寄生电感,集成化设计能够提升芯片抗噪声能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工艺平台进行制备,采用E/D模集成电路设计。该芯片的驱动电路在2 MHz开关频率下输出信号上升时间为4.3 ns、下降时间为3.4 ns,芯片的功率管在300 V下能够稳定工作。 展开更多
关键词 GAN 功率IC 单通道 GaN-on-Si E/D模
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AI光学神经网络计算芯片发展现状及趋势
5
作者 杨卓樾 钱广 +2 位作者 黄梦昊 孔月婵 陈堂胜 《光电子技术》 2025年第1期1-9,共9页
介绍了用于人工智能的光学神经网络芯片工作原理、系统架构以及应用场景,分析了近年来国内外的研究现状,总结了关键技术和未来的发展趋势。为突破传统电子计算“功耗墙”和“算力墙”提供了全新技术路径,在人工智能领域展现出诱人的应... 介绍了用于人工智能的光学神经网络芯片工作原理、系统架构以及应用场景,分析了近年来国内外的研究现状,总结了关键技术和未来的发展趋势。为突破传统电子计算“功耗墙”和“算力墙”提供了全新技术路径,在人工智能领域展现出诱人的应用潜力。 展开更多
关键词 光计算 光学神经网络 人工智能
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GaN器件金刚石近结集成热管理技术研究进展 被引量：2
6
作者 郭怀新 陈堂胜 +3 位作者 孔月婵 李忠辉 李义壮 黄健 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期561-567,共7页
GaN器件大功率及高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起的器件结温升高问题,导致器件性能严重下降,GaN器件的大功率潜能远未得到发挥,金刚石近结集成热管理技术是解决GaN器件热瓶颈的重要途径。本文详细论述GaN器件近结... GaN器件大功率及高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起的器件结温升高问题,导致器件性能严重下降,GaN器件的大功率潜能远未得到发挥,金刚石近结集成热管理技术是解决GaN器件热瓶颈的重要途径。本文详细论述GaN器件近结热管理技术的重要性,并对近年来国际上正在开展的金刚石近结散热技术方法进行系统分析和评述,揭示了金刚石与GaN器件近结集成工艺途径及面临的技术挑战,阐述了GaN器件金刚石近结集成热管理的技术现状和发展方向。 展开更多
关键词 GaN功率器件 器件级热管理 热测试 金刚石衬底 金刚石钝化
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基于铝镓砷微环谐振腔的集成量子频率梳
7
作者 郑晓冬 陈哲 +5 位作者 何润秋 李玉富 陆亮亮 孔月婵 陈堂胜 牛斌 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于自主工艺平台设计并成功研制了铝镓砷(AlGaAs)微环谐振腔量子频率梳芯片(如图1所示),得益于高非线性系数的AlGaAs微环谐振腔结构可实现高亮度的量子光源。该器件最高品质因子(Q)为1.3×10^(5),平均自由光谱范... 南京电子器件研究所基于自主工艺平台设计并成功研制了铝镓砷(AlGaAs)微环谐振腔量子频率梳芯片(如图1所示),得益于高非线性系数的AlGaAs微环谐振腔结构可实现高亮度的量子光源。该器件最高品质因子(Q)为1.3×10^(5),平均自由光谱范围(Free spectral range,FSR)为201 GHz(如图2所示),覆盖在C波段100 nm光谱范围,可提供大于25对量子关联光子对输出,测量1553.97 nm关联光子单计数(如图3所示)和符合计数,得到光谱亮度为2.1×10^(7)Hz/(mW^(2)·nm),符合偶然比(Coincidence to accidental ratio,CAR)为262(如图4所示),该研究为实现可扩展、全集成的低成本光量子网络及光量子精密测量提供了高亮度的集成量子频率梳光源。 展开更多
关键词 微环谐振腔 非线性系数 自由光谱范围 铝镓砷 频率梳 ALGAAS 全集成 光量子
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增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究
8
作者 胡壮壮 王登贵 +3 位作者 李雪 周建军 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期201-205,共5页
为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率... 为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率为1.55 rad(Si)/s、累积总剂量为300 krad(Si)的条件下,器件的阈值电压保持不变,同时器件在传能线密度为37.3 MeV/(mg·cm^(2))的离子辐照下,仍然实现了大于300 V的击穿电压。表明研制的增强型p-GaN栅HEMT器件具有良好的抗辐照能力。 展开更多
关键词 p⁃GaN栅HEMT器件 总剂量效应 单粒子效应
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碳基射频电子器件研究进展 被引量：1
9
作者 孔月婵 杨扬 +4 位作者 周建军 吴云 顾晓文 郁鑫鑫 王登贵 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期94-103,121,共11页
以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等... 以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等器件领域,具有技术提升的巨大潜力。分别介绍了这三种典型碳基材料的基本电学特性,聚焦金刚石微波功率器件、石墨烯高频器件和电路以及碳纳米管高线性器件和电路,分析了从材料至器件层面的优势和挑战,并展望了碳基材料成为下一代半导体功能材料的前景。 展开更多
关键词 碳材料 射频 电子器件
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51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器
10
作者 孔月婵 周建军 +4 位作者 孔岑 董逊 张有涛 陆海燕 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）GaNHEMT圆片工艺，通过E模器件和E／D集成技术，在国内率先实现了5l级GaNE／D集成环形振荡器，工作电压为6V时振荡频率达404MHz，级延时为24．3ps。
关键词 环形振荡器 集成技术 南京电子器件研究所 振荡频率 工作电压 圆片
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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究
11
作者 孔月婵 薛舫时 +2 位作者 周建军 李亮 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期83-86,共4页
采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变... 采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BST/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BST极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BST的平均极化方向仍与Al-GaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。 展开更多
关键词 铁电/半导体异质结构 极化调制 二维电子气
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0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用 被引量：5
12
作者 任春江 王泉慧 +7 位作者 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期433-437,共5页
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度... 报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。 展开更多
关键词 I线步进光刻 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 难熔栅
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GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展 被引量：7
13
作者 郭怀新 孔月婵 +1 位作者 韩平 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期316-323,共8页
详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理... 详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。 展开更多
关键词 GAN器件 芯片级热管理 金刚石 微流体
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金刚石衬底GaN HEMT研究进展 被引量：12
14
作者 陈堂胜 孔月婵 吴立枢 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期360-364,共5页
SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN... SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN HEMT性能进一步发挥的主要障碍。本文分析了GaN外延材料高缺陷密度形成的原因,介绍了近年来国外正在开展的基于转移技术金刚石衬底GaN HEMT技术,解决GaN HEMT散热问题的研究进展。研究结果表明,基于转移技术的金刚石衬底GaN HEMT有望成为继SiC衬底GaN HEMT之后的下一代固态微波功率器件主导型器件技术。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 金刚石 转移技术
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300GHz InP DHBT单片集成放大器 被引量：4
15
作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 常龙 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第4期F0003-F0003,共1页
太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器... 太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。 展开更多
关键词 DHBT 单片集成放大器 INP 异质结双极型晶体管 功率放大器 SI/SIGE 太赫兹 宽带通信
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AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究 被引量：4
16
作者 董逊 孔月婵 +5 位作者 周建军 倪金玉 李忠辉 李亮 张东国 彭大青 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期429-432,共4页
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道... 基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。 展开更多
关键词 双异质结 二维电子气 方块电阻
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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展 被引量：3
17
作者 郭怀新 黄语恒 +4 位作者 黄宇龙 陶鹏 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1017-1023,1047,共8页
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。 展开更多
关键词 功率器件 热管理 结温 热导率 界面热阻
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InP太赫兹功率放大器芯片 被引量：2
18
作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期F0003-F0003,共1页
太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm... 太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。 展开更多
关键词 功率放大器 芯片面积 太赫兹 INP HBT工艺 小信号增益 工作频率 输出功率
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220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器 被引量：2
19
作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。 展开更多
关键词 集成功率放大器 GHZ INP DHBT 南京电子器件研究所 单片 HBT工艺 饱和输出功率
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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制 被引量：2
20
作者 薛舫时 杨乃彬 +1 位作者 陈堂胜 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期337-342,共6页
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。 展开更多
关键词 电荷控制模型 漏电压引起的势垒下降 类MESFET模拟 电荷控制中的量子行为 量子电容 三角阱近似 漏电压引起的阈值电压移动 漏电压引起的能带下弯
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