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MLCC三层镀中甲基磺酸镀锡体系工艺条件对锡镀层性能影响的研究 被引量：11
1
作者 娄红涛 冯辉 +2 位作者 李基森 杨卫花 陈玫 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2005年第6期35-40,共6页
研究了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀中甲基磺酸镀纯锡体系pH值、温度、电流密度等工艺条件及杂质金属离子对镀液稳定性、镀层结构和性能等方面的影响。从电流效率、沉积速度及锡镀层表面的扫描电镜等方面,对比了不同pH值、温度、电... 研究了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀中甲基磺酸镀纯锡体系pH值、温度、电流密度等工艺条件及杂质金属离子对镀液稳定性、镀层结构和性能等方面的影响。从电流效率、沉积速度及锡镀层表面的扫描电镜等方面,对比了不同pH值、温度、电流密度以及锡镀液中掺杂Cu2+、Ni2+后对锡镀层结构和性能的影响。研究结果给出了电镀工艺中最佳的pH值为3.5±0.2、温度为(23±2)℃、电流密度可以有较宽的范围,当镀液中掺有镍、铜等杂离子会对镀层产生负面影响,在给出的工艺参数下电镀,可以确保镀出最佳的纯锡镀层。 展开更多
关键词 甲基磺酸 镀锡体系 工艺条件 镀层性能
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片式电子元器件中无铅可焊镀层的研究 被引量：11
2
作者 张尹 李基森 +2 位作者 齐坤 陈玫 娄红涛 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2005年第2期1-4,11,共5页
研究了对片式电子元器件以纯Sn镀层取代可焊性优异但环保性差的Sn–Pb镀层在生产过程中遇到的问题及解决途径。结果表明,Sn镀层上的“晶须”是制约其使用的主要问题,通过镀覆中间层、控制Sn层厚度、选择减小镀层压应力的添加剂、采用甲... 研究了对片式电子元器件以纯Sn镀层取代可焊性优异但环保性差的Sn–Pb镀层在生产过程中遇到的问题及解决途径。结果表明,Sn镀层上的“晶须”是制约其使用的主要问题,通过镀覆中间层、控制Sn层厚度、选择减小镀层压应力的添加剂、采用甲基磺酸锡体系镀哑光Sn等措施能有效抑制“晶须”的产生,获得可焊性好、能满足片式电子元器件批量生产质量要求的无铅镀层。介绍了以预镀Au、Pd取代Sn–Pb镀层的进展。 展开更多
关键词 无铅 锡镀层 片式元器件
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MLCC三层镀中甲基磺酸镀锡体系工艺条件对锡镀层性能影响的研究(续)
3
作者 冯辉 娄红涛 +2 位作者 李基森 杨卫花 陈玫 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2006年第2期30-35,共6页
针对了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀甲基磺酸镀纯锡体系,提高镀液中Sn2+离子浓度、添加剂浓度及增大阴极电流密度对电流效率、沉积速度、最大允许电流密度及镀层性能等几个方面的影响。结果表明,提高Sn2+离子浓度和阴极电流密度后,... 针对了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀甲基磺酸镀纯锡体系,提高镀液中Sn2+离子浓度、添加剂浓度及增大阴极电流密度对电流效率、沉积速度、最大允许电流密度及镀层性能等几个方面的影响。结果表明,提高Sn2+离子浓度和阴极电流密度后,添加剂I按Sn2+离子浓度比例相应提高,添加剂II浓度不变,阴极电流密度提高至0.3～0.35A/dm2,沉积速度加快,即镀得相同厚度的镀层,其电镀时间可比原来工艺缩短三分之一,收到缩短电镀生产周期、提高生产设备利用率的效果。 展开更多
关键词 甲基磺酸 镀锡体系 沉积速度 离子浓度
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