期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
沉积温度对高Al含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的影响
被引量：
1
1
作者
季振国
娄垚
毛启楠
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期386-390,共5页
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随...
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度（1000~1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段,但是过高的沉积温度（〉1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
展开更多
关键词
ALGAN
高铝含量
MOCVD
外延
沉积温度
在线阅读
下载PDF
职称材料
退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响
被引量：
2
2
作者
张雯
王继扬
+2 位作者
季振国
李红霞
娄垚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期588-592,共5页
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400...
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷。
展开更多
关键词
La3Ga5SiO14薄膜
脉冲激光沉积
退火温度
微观结构
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
沉积温度对高Al含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的影响
被引量：
1
1
作者
季振国
娄垚
毛启楠
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期386-390,共5页
基金
浙江省科技计划(2008F70015
2009C31007)
文摘
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度（1000~1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段,但是过高的沉积温度（〉1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
关键词
ALGAN
高铝含量
MOCVD
外延
沉积温度
Keywords
AlGaN
high Al content
MOCVD
epitaxy
deposition temperature
分类号
O47 [理学—半导体物理]
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响
被引量：
2
2
作者
张雯
王继扬
季振国
李红霞
娄垚
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
杭州电子科技大学电子信息学院
浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期588-592,共5页
基金
浙江工业大学重中之重学科开放研究基金(AMT200506-005)
文摘
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷。
关键词
La3Ga5SiO14薄膜
脉冲激光沉积
退火温度
微观结构
Keywords
La3Ga5SiO14 thin film
pulsed laser deposition
annealing temperature
microstructure
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沉积温度对高Al含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的影响
季振国
娄垚
毛启楠
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响
张雯
王继扬
季振国
李红霞
娄垚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
