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基于磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备技术优化及应用
被引量：
2
1
作者
何长安
王庆国
+4 位作者
曲兆明
邹俊
郭松茂
娄华康
王妍
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期629-632,589,共5页
将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下...
将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下生成的薄膜进行X射线衍射仪(XRD)表征和电子显微镜(SEM)观察。研究表明,通过对磁控溅射和真空退火工艺两个过程的控制参数优化设计,实现了高重复性VO2薄膜的制备;薄膜组份均匀性得到了显著改善;退火温度在475℃到525℃区间时可生成相变性能较好的VO2薄膜;退火温度为500℃、退火时间110 min时,薄膜表面晶体结构最好,晶粒大小均匀。实验结果对VO2薄膜高重复性制备及卫星表面应用具有指导意义。
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关键词
二氧化钒薄膜
退火处理
磁控溅射
晶体生长
卫星设计
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职称材料
极端电场环境激励下的VO2相变性能研究与应用
被引量：
1
2
作者
何长安
王庆国
+4 位作者
曲兆明
孙肖宁
邹俊
杨鸿鸣
娄华康
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期1063-1068,共6页
为揭示VXOY薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管...
为揭示VXOY薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下的生成的薄膜进行了XRD表征。测得了电场激励下VXOY薄膜的相变现象,验证了电场激励下焦耳热并非薄膜相变的主导因素;总结了不同组分下VXOY薄膜的相变规律,研究了不同V6O13含量对VO2薄膜临界相变电压的影响规律,可指导VXOY薄膜应用于微纳卫星等极端环境下的设备控制系统。
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关键词
氧化钒薄膜
微纳卫星设计
场致相变
卫星控制系统
晶体生长
XRD
溅射气压
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职称材料
题名
基于磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备技术优化及应用
被引量：
2
1
作者
何长安
王庆国
曲兆明
邹俊
郭松茂
娄华康
王妍
机构
[
陆军工程大学强电磁场环境模拟与防护技术国防科技重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期629-632,589,共5页
基金
武器装备探索研究资助项目(713xxxxx)。
文摘
将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下生成的薄膜进行X射线衍射仪(XRD)表征和电子显微镜(SEM)观察。研究表明,通过对磁控溅射和真空退火工艺两个过程的控制参数优化设计,实现了高重复性VO2薄膜的制备;薄膜组份均匀性得到了显著改善;退火温度在475℃到525℃区间时可生成相变性能较好的VO2薄膜;退火温度为500℃、退火时间110 min时,薄膜表面晶体结构最好,晶粒大小均匀。实验结果对VO2薄膜高重复性制备及卫星表面应用具有指导意义。
关键词
二氧化钒薄膜
退火处理
磁控溅射
晶体生长
卫星设计
Keywords
Vanadium dioxide thin film
Annealing
Magnetron sputtering
Crystal growth
Satellite design
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
极端电场环境激励下的VO2相变性能研究与应用
被引量：
1
2
作者
何长安
王庆国
曲兆明
孙肖宁
邹俊
杨鸿鸣
娄华康
机构
[
陆军工程大学强电磁场环境模拟与防护技术重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期1063-1068,共6页
文摘
为揭示VXOY薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下的生成的薄膜进行了XRD表征。测得了电场激励下VXOY薄膜的相变现象,验证了电场激励下焦耳热并非薄膜相变的主导因素;总结了不同组分下VXOY薄膜的相变规律,研究了不同V6O13含量对VO2薄膜临界相变电压的影响规律,可指导VXOY薄膜应用于微纳卫星等极端环境下的设备控制系统。
关键词
氧化钒薄膜
微纳卫星设计
场致相变
卫星控制系统
晶体生长
XRD
溅射气压
Keywords
vanadium dioxide thin film
micro-nano satellite design
field-induced phase change
satellite control system
crystal growth
XRD
sputtering pressure
分类号
O74 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备技术优化及应用
何长安
王庆国
曲兆明
邹俊
郭松茂
娄华康
王妍
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
在线阅读
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职称材料
2
极端电场环境激励下的VO2相变性能研究与应用
何长安
王庆国
曲兆明
孙肖宁
邹俊
杨鸿鸣
娄华康
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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职称材料
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