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4-SiC 3L-ANPC逆变器损耗均衡和效率优化调制策略 被引量:9
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作者 娄修弢 张犁 +2 位作者 陈永炜 沈竹 郑仲舒 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期1925-1932,共8页
提出一种4-SiC混合三电平有源中点钳位逆变器(three-level active neutral point clamped,3L-ANPC)及其损耗均衡调制策略,将硬开关损耗分配给不同SiC MOSFET,让通态损耗高的SiCMOSFET仅承受关断损耗,而通态损耗低的SiCMOSFET仅承受开通... 提出一种4-SiC混合三电平有源中点钳位逆变器(three-level active neutral point clamped,3L-ANPC)及其损耗均衡调制策略,将硬开关损耗分配给不同SiC MOSFET,让通态损耗高的SiCMOSFET仅承受关断损耗,而通态损耗低的SiCMOSFET仅承受开通损耗;并提出将续流状态2条电流支路并联,降低续流状态的通态损耗。分析所提新4-SiC混合3L-ANPC的工作原理和模态,理论计算和对比传统4-SiC和所提4-SiC混合方案的损耗。最后,搭建一台2kW的单相3L-ANPC逆变器样机,验证所提4-SiC混合方案相比与传统4-SiC混合方案,优化了SiC器件损耗均衡,并提高了变换效率。 展开更多
关键词 三电平逆变器 有源中点钳位 碳化硅MOSFET 损耗 效率
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