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一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件
1
作者
吴家旭
成建兵
+2 位作者
孙旸
周成龙
姜圣杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第4期289-294,共6页
为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设...
为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设置在栅极与漏极之间,降低了沟槽对栅极控制的影响,保证了栅极的稳定性。对所提结构在ESD条件下的电流泄放能力进行了仿真验证,结果表明,相比于常规的GaN HEMT结构,沟槽结构GaN HEMT的泄放电流提高了32.7%,并且当沟槽与栅极距离大于0.3μm时,沟槽对阈值电压几乎没有影响。
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关键词
高电子迁移率晶体管
静电放电
高泄放电流
沟槽
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职称材料
题名
一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件
1
作者
吴家旭
成建兵
孙旸
周成龙
姜圣杰
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院&柔性电子(未来技术)学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第4期289-294,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)。
文摘
为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设置在栅极与漏极之间,降低了沟槽对栅极控制的影响,保证了栅极的稳定性。对所提结构在ESD条件下的电流泄放能力进行了仿真验证,结果表明,相比于常规的GaN HEMT结构,沟槽结构GaN HEMT的泄放电流提高了32.7%,并且当沟槽与栅极距离大于0.3μm时,沟槽对阈值电压几乎没有影响。
关键词
高电子迁移率晶体管
静电放电
高泄放电流
沟槽
Keywords
HEMT
ESD
high discharge current
trench
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件
吴家旭
成建兵
孙旸
周成龙
姜圣杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024
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