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题名壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子
被引量：2
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作者
多思
朱宁
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机构
天津理工大学电子信息工程学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期624-627,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50972105)
天津市重大科技攻关资助项目(06YFGZGX00300)
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文摘
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石(BDD)薄膜。并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极。以此修饰电极为工作电极,在0.1mol/L,pH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行检测。实验表明,Cu2+在4.0×10-7～1.0×10-3 mol/L浓度范围内与峰电流成良好的线性关系,相关系数为0.9916,检测限达7.0×10-8 mol/L。比较了不同富集方式对Cu2+的检测效果,并分别用未经修饰的BDD电极和经壳聚糖修饰的BDD电极对相同浓度的Cu2+进行电化学检测,发现不仅还原峰电流明显增大而且还原峰电位也发生偏移,这表明经化学修饰的BDD电极能更加灵敏、准确地测定Cu2+,同时也佐证了壳聚糖成功修饰在BDD电极上。
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关键词
热丝化学气相沉积
掺硼金刚石薄膜
壳聚糖
铜离子
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Keywords
HFCVD
boron-doped diamond thin-film
chitosan
copper ion
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分类号
TB43
[一般工业技术]
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