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原子间相互作用对V型三能级原子激光压缩性质的影响 被引量:10
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作者 周玉欣 夏庆峰 孙长勇 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期633-637,共5页
研究了V型三能级原子玻色-爱因斯坦凝聚体与双模压缩相干态光场相互作用系统中原子激光的两个正交分量的压缩性质,并与Ξ型三能级原子玻色-爱因斯坦凝聚体和双摸压缩相干态相互作用系中原子激光的压缩作了比较.结果表明:压缩相干态光场... 研究了V型三能级原子玻色-爱因斯坦凝聚体与双模压缩相干态光场相互作用系统中原子激光的两个正交分量的压缩性质,并与Ξ型三能级原子玻色-爱因斯坦凝聚体和双摸压缩相干态相互作用系中原子激光的压缩作了比较.结果表明:压缩相干态光场的初始压缩因子和凝聚体中原子间的相互作用强度对原子激光的两个正交分量的压缩有明显的影响,随光场压缩因子增大原子激光的压缩深度增加,而随原子间相互作用变强,对原子激光的正交分量的压缩的影响变浅. 展开更多
关键词 玻色-爱因斯坦凝聚 V型三能级原子 压缩相干态 原子激光
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双模压缩真空态与玻色-爱因斯坦凝聚相互作用系统中的量子纠缠 被引量:2
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作者 周玉欣 夏庆峰 孙长勇 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期312-316,共5页
研究的系统为双模压缩真空态和玻色-爱因斯坦凝聚体相互作用体系,在双光子跃迁过程中,分别用量子约化熵和量子相对熵研究了该系统中的双模压缩真空态与凝聚体间的纠缠以及双模压缩真空态的模间纠缠,分析了光场初始压缩因子、原子间相互... 研究的系统为双模压缩真空态和玻色-爱因斯坦凝聚体相互作用体系,在双光子跃迁过程中,分别用量子约化熵和量子相对熵研究了该系统中的双模压缩真空态与凝聚体间的纠缠以及双模压缩真空态的模间纠缠,分析了光场初始压缩因子、原子间相互作用对场-凝聚体间纠缠和模间纠缠的影响。 展开更多
关键词 量子光学 玻色-爱因斯坦凝聚 双模压缩真空态 量子纠缠 量子约化熵 量子相对熵
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三维非谐势阱中玻色-爱因斯坦凝聚的数值计算 被引量:1
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作者 孙长勇 周玉欣 +2 位作者 李书锋 夏庆峰 赵建刚 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1372-1376,共5页
本文从G-P平均势场理论出发,探讨了三维球对称非谐势阱中玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的G-P方程;用数值计算方法研究了三维球对称非谐势阱中原子间有相互作用的玻色-爱因斯坦凝聚气体的基态解;分析了非谐振势能项对玻色-爱因斯坦凝聚体的分... 本文从G-P平均势场理论出发,探讨了三维球对称非谐势阱中玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的G-P方程;用数值计算方法研究了三维球对称非谐势阱中原子间有相互作用的玻色-爱因斯坦凝聚气体的基态解;分析了非谐振势能项对玻色-爱因斯坦凝聚体的分布、能量和化学势的影响. 展开更多
关键词 玻色-爱因斯坦凝聚 数值计算 G-P方程 非谐势阱
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基于MSTP平台的专线业务解决方案
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作者 夏庆峰 《电信网技术》 2005年第7期49-51,共3页
随着网络技术的发展,传统的专线业务例如FR、ATM、DDN、X.25、PDH专线、SDH专线、IPSecVPN、MPLSVPN等形式,已经无法满足用户多方面、多层次的需求,并且给运营商带来了诸多问题,需要引入一种能满足大客户全业务接入需求以及未来发展趋... 随着网络技术的发展,传统的专线业务例如FR、ATM、DDN、X.25、PDH专线、SDH专线、IPSecVPN、MPLSVPN等形式,已经无法满足用户多方面、多层次的需求,并且给运营商带来了诸多问题,需要引入一种能满足大客户全业务接入需求以及未来发展趋势的综合专线网络。通过应用了MPLS/ASON等多种技术,采甩支持IP/ATM以及TDM业务的MSTP平台设备就可以实现这一目的。华为技术有限公司夏庆峰《基于MSTP平台的专线业务解决方案》一文对华为MSTP设备的业务能力进行了详细阐述,并给出了MSTP设备提供专线业务的典型组网应用实例。本文为相关技术领域的技术人员或工程师提供了有益的参考资料。 展开更多
关键词 专线业务 解决方案 平台 IPSECVPN 华为技术有限公司 MSTP设备 MPLSVPN IP/ATM 全业务接入 TDM业务 网络技术 X.25 发展趋势 ASON 应用实例 业务能力 参考资料 技术人员 技术领域 DDN PDH SDH 多层次 运营商 大客户 工程师
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排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响 被引量:1
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作者 张立祥 王海涛 +1 位作者 王尤海 夏庆峰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1112-1117,共6页
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10-15Pa,功率在5 500-6 500 W的参数区间,a... 本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10-15Pa,功率在5 500-6 500 W的参数区间,a-Si刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl=800∶2 800mL/min时a-Si刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏a-Si刻蚀的均一性。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 A-SI 均一性 排气方式
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