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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究
被引量：
1
1
作者
张猛
夏之荷
+3 位作者
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期187-193,共7页
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(...
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的BG结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的SH可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的HC可靠性主要源于漏端横向电场(Ex)的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统中具有很大的应用前景。
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关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
负偏压温度不稳定性
自加热
热载流子
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职称材料
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究
2
作者
张猛
夏之荷
+3 位作者
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期91-96,共6页
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制。在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化。器件退化只与栅脉冲下降沿有关。越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化。比起普通多晶...
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制。在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化。器件退化只与栅脉冲下降沿有关。越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化。比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱。通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化。辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明。所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景。
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关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
栅交流应力
动态热载流子
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职称材料
题名
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究
被引量：
1
1
作者
张猛
夏之荷
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
机构
香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期187-193,共7页
基金
香港研究资助局主题研究计划项目(No.T23-713/11-1)
文摘
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的BG结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的SH可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的HC可靠性主要源于漏端横向电场(Ex)的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统中具有很大的应用前景。
关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
负偏压温度不稳定性
自加热
热载流子
Keywords
bridged-grain
polycrystalline silicon
thin film transistors
negative bias temperature instability
self-heating
hot carrier
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究
2
作者
张猛
夏之荷
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
机构
香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期91-96,共6页
基金
香港研究资助局主题研究计划项目(NO.T23-713/11-1)~~
文摘
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制。在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化。器件退化只与栅脉冲下降沿有关。越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化。比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱。通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化。辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明。所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景。
关键词
搭桥晶粒
多晶硅
薄膜晶体管
栅交流应力
动态热载流子
Keywords
bridged-grain
polycrystalline silicon
thin film transistors
AC gate bias stress
dynamic hot carrier
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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1
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究
张猛
夏之荷
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
2
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究
张猛
夏之荷
周玮
陈荣盛
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017
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