期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于遗传算法的超宽带微带天线优化设计
被引量：
9
1
作者
孙思扬
吕英华
+3 位作者
张金玲
喇东升
赵志东
阮方鸣
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第1期62-66,共5页
将遗传算法应用于超宽带微带天线设计。建立了基于遗传算法和高频电磁仿真软件（HFSS）的优化工程。在此基础之上，优化设计出了一款超宽带微带天线。讨论了该优化工程的操作流程，并对天线特性进行了研究。研究结果表明：所设计天线在3...
将遗传算法应用于超宽带微带天线设计。建立了基于遗传算法和高频电磁仿真软件（HFSS）的优化工程。在此基础之上，优化设计出了一款超宽带微带天线。讨论了该优化工程的操作流程，并对天线特性进行了研究。研究结果表明：所设计天线在3．1～10．6GHz频段内的回波损耗小于-10dB，具有良好的超宽频带特性。
展开更多
关键词
遗传算法
超宽带天线
优化
HFSS
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
2
作者
刘妍
彭艳
+2 位作者
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期3930-3938,共9页
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构...
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。
展开更多
关键词
纳米线
半导体
Ⅲ-Ⅴ族
气-液-固模式
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于遗传算法的超宽带微带天线优化设计
被引量：
9
1
作者
孙思扬
吕英华
张金玲
喇东升
赵志东
阮方鸣
机构
北京邮电大学电子工程学院
贵州师范大学物理电子学院
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第1期62-66,共5页
基金
教育部高等学校博士学科点专项科研基金项目(编号:200700130046)
国家自然科学基金资助项目(编号:60771060
60971078)
文摘
将遗传算法应用于超宽带微带天线设计。建立了基于遗传算法和高频电磁仿真软件（HFSS）的优化工程。在此基础之上，优化设计出了一款超宽带微带天线。讨论了该优化工程的操作流程，并对天线特性进行了研究。研究结果表明：所设计天线在3．1～10．6GHz频段内的回波损耗小于-10dB，具有良好的超宽频带特性。
关键词
遗传算法
超宽带天线
优化
HFSS
Keywords
genetic algorithm
UWB antenna
optimization
HFSS
分类号
TN82 [电子电信—信息与通信工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
2
作者
刘妍
彭艳
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
机构
燕山大学国家冷轧板带装备及工艺工程技术研究中心
燕山大学信息科学与工程学院
燕山大学河北省信息传输与信号处理重点实验室
东北大学秦皇岛分校计算机与通信工程学院
东南大学毫米波国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期3930-3938,共9页
基金
国家自然科学基金(51375424
61501100)
+1 种基金
河北省自然科学基金(F2019203012)
东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201705)~~
文摘
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。
关键词
纳米线
半导体
Ⅲ-Ⅴ族
气-液-固模式
Keywords
nanowire
semiconductor
Ⅲ-Ⅴ
vapor-liquid-solid mode
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于遗传算法的超宽带微带天线优化设计
孙思扬
吕英华
张金玲
喇东升
赵志东
阮方鸣
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
刘妍
彭艳
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
