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聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样
被引量：
14
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作者
唐雷钧
谢进
+2 位作者
陈一
郑国祥
宗祥福
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2000年第4期513-514,共2页
关键词
聚焦离子束
透射电镜
制样
IC芯片
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职称材料
集成电路TEM分析的制样技术
被引量：
5
2
作者
唐雷钧
潘梦瑜
+2 位作者
陈一
潘忠伟
宗祥福
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1995年第6期459-462,共4页
对集成电路（ＩＣ）芯片特定部位作透射电镜（ＴＥＭ）分析，样品制备是非常关键的一步。为此，许多实验室￣［１－３］发展了各种针对性的制样技术。通过吸取各种制样技术的长处，结合目前一般ＴＥＭ实验室的制样条件，本文介绍一种用...
对集成电路（ＩＣ）芯片特定部位作透射电镜（ＴＥＭ）分析，样品制备是非常关键的一步。为此，许多实验室￣［１－３］发展了各种针对性的制样技术。通过吸取各种制样技术的长处，结合目前一般ＴＥＭ实验室的制样条件，本文介绍一种用于普通ＴＥＭ实验室的ＩＣ芯片具体制样方法──使用玻璃陪片，在光学显微镜监视下，以机械减薄形成“劈”形试样，使被分析目标在“劈”的“刃口”上。最后用低角度离子磨削使被分析目标附近形成理想的电子透明薄区。
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关键词
集成电路
透射电镜
TEM分析
制样技术
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职称材料
题名
聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样
被引量：
14
1
作者
唐雷钧
谢进
陈一
郑国祥
宗祥福
机构
复旦大学材料科学系
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2000年第4期513-514,共2页
关键词
聚焦离子束
透射电镜
制样
IC芯片
分类号
TN409 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
集成电路TEM分析的制样技术
被引量：
5
2
作者
唐雷钧
潘梦瑜
陈一
潘忠伟
宗祥福
机构
复旦大学材料系
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1995年第6期459-462,共4页
文摘
对集成电路（ＩＣ）芯片特定部位作透射电镜（ＴＥＭ）分析，样品制备是非常关键的一步。为此，许多实验室￣［１－３］发展了各种针对性的制样技术。通过吸取各种制样技术的长处，结合目前一般ＴＥＭ实验室的制样条件，本文介绍一种用于普通ＴＥＭ实验室的ＩＣ芯片具体制样方法──使用玻璃陪片，在光学显微镜监视下，以机械减薄形成“劈”形试样，使被分析目标在“劈”的“刃口”上。最后用低角度离子磨削使被分析目标附近形成理想的电子透明薄区。
关键词
集成电路
透射电镜
TEM分析
制样技术
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN16 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样
唐雷钧
谢进
陈一
郑国祥
宗祥福
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2000
14
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职称材料
2
集成电路TEM分析的制样技术
唐雷钧
潘梦瑜
陈一
潘忠伟
宗祥福
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1995
5
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