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3～5 GHz超宽带无电感CMOS低噪声放大器设计被引量：3: 1; 作者王巍宫召英 +3 位作者杨铿马晓英唐政维王岳生《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第6期130-133,137,共5页; 基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪... 展开更多; 关键词超宽带 LNA 电流复用噪声相消有源电感; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD 被引量：1: 2; 作者王巍陈丽 +4 位作者鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期62-66,共5页; 设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿... 展开更多; 关键词 CMOS-APD 雪崩增益响应度带宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种通用汽油机点火专用集成电路的设计被引量：1: 3; 作者何晓凡唐政维钟平根《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期142-144,共3页; 在对传统汽油机点火电路原理分析和总结的基础上，分析其不足并针对市场需要设计出一款点火角控制精确，一致性好，价格低廉的点火控制芯片。电路设计基于金属氧化物半导体（CMOS）工艺，采用与电源电压和工艺无关的设计，从而提高了产... 展开更多; 关键词金属氧化物半导体(CMOS) 点火电路点火进角与电源电压和工艺无关; 在线阅读下载PDF 职称材料

PIN光电探测器低噪声前置放大电路设计被引量：6: 4; 作者杨小优唐政维 +2 位作者周平席静向导《电子质量》 2012年第3期43-45,55,共4页; 该文设计了一款PIN光电探测器的低噪声前置放大电路,选用低噪声器件,设计带通滤波电路,实现阻抗匹配,消除噪声。该电路由+15V和±5V三电源驱动,照射激光波长λ=850nm,光脉冲频率f=10kHz,光脉冲宽度τ=20ns。通过软件仿真及实物测试... 展开更多; 关键词光电探测器低噪声响应度上升时间闭环增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3～5 GHz超宽带无电感CMOS低噪声放大器设计被引量：3: 1; 作者王巍宫召英杨铿马晓英唐政维王岳生; 机构重庆邮电大学光电工程学院; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第6期130-133,137,共5页; 文摘基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3～5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11～13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。; 关键词超宽带 LNA 电流复用噪声相消有源电感; Keywords UWB LNA current reuse noise canceling active inductance; 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD 被引量：1: 2; 作者王巍陈丽鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维; 机构重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期62-66,共5页; 文摘设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿;并且新增加一个深N阱结构,使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收,屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声,用以提高器件的响应度。通过理论分析,确定本文所设计的CMOS-APD器件光窗口面积为10μm×10μm,并得到了器件其他的结构和工艺参数。仿真结果表明:APD工作在480 nm波长的光照时,量子效率达到最高90%以上。在加反向偏压-15 V时,雪崩增益为72,此时响应度可达到2.96 A/W,3 d B带宽为4.8 GHz。; 关键词 CMOS-APD 雪崩增益响应度带宽; Keywords CMOS-APD avalanche gain responsivity bandwidth; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种通用汽油机点火专用集成电路的设计被引量：1: 3; 作者何晓凡唐政维钟平根; 机构西安电子科技大学微电子研究所重庆邮电大学微电子与固体电子学系; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期142-144,共3页; 文摘在对传统汽油机点火电路原理分析和总结的基础上，分析其不足并针对市场需要设计出一款点火角控制精确，一致性好，价格低廉的点火控制芯片。电路设计基于金属氧化物半导体（CMOS）工艺，采用与电源电压和工艺无关的设计，从而提高了产品的稳定性、可靠性和一致性，该电路具备完善的静电释放（ESD）设计，工作电压3～6V，静电流小于2mA，可广泛应用于125mL及以下排量的汽油机中。; 关键词金属氧化物半导体(CMOS) 点火电路点火进角与电源电压和工艺无关; Keywords CMOS motor ignitor ignition angle low pertinence to process and power supply; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PIN光电探测器低噪声前置放大电路设计被引量：6: 4; 作者杨小优唐政维周平席静向导; 机构重庆邮电大学光电工程学院; 出处《电子质量》 2012年第3期43-45,55,共4页; 文摘该文设计了一款PIN光电探测器的低噪声前置放大电路,选用低噪声器件,设计带通滤波电路,实现阻抗匹配,消除噪声。该电路由+15V和±5V三电源驱动,照射激光波长λ=850nm,光脉冲频率f=10kHz,光脉冲宽度τ=20ns。通过软件仿真及实物测试,达到响应度Re(V/W)≥2×105,上升时间Tr(ns)≤13,暗噪声电压峰峰值VN(mV)≤10,闭环增益A(dB)≥60等指标,表明该文方法可以为低噪声前置放大电路设计提供指导。; 关键词光电探测器低噪声响应度上升时间闭环增益; Keywords photodetector low-noise responsivity rise time closed-loop gain; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学] TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料