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新型热隔离高频信号传输结构
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作者 廖翱 唐彬浛 +2 位作者 张童童 吕晓萌 景飞 《光通信技术》 2023年第5期50-52,共3页
为了保持直调电/光转换组件激光器恒温区域温度不变,提出了一种新型的热隔离高频信号传输结构。该结构采用低热导率介质的电容来传输高频信号,有效增大了电/光转换组件中射频和激光器芯片之间的传热热阻,降低了从射频到激光器芯片恒温... 为了保持直调电/光转换组件激光器恒温区域温度不变,提出了一种新型的热隔离高频信号传输结构。该结构采用低热导率介质的电容来传输高频信号,有效增大了电/光转换组件中射频和激光器芯片之间的传热热阻,降低了从射频到激光器芯片恒温区之间的热传导。仿真结果表明:与传统的电路片搭接结构、金丝级联结构相比,所提传输结构使半导体制冷器的热负载分别降低了20.5%、10%,电流分别降低了100、60 mA;同时,该传输结构在2~18 GHz频段内的回波损耗最大只有-16.7 dB,具备良好的射频传输性能。 展开更多
关键词 热隔离 电容 低热导率 电/光转换组件 半导体制冷器 回波损耗
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铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征 被引量:1
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作者 李富银 王颖 唐彬浛 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期371-375,386,共6页
采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO_2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10^(-3)Pa)中退火1 h,退火温度为300~700℃。对Cu(Ti)及Cu(Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS... 采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO_2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10^(-3)Pa)中退火1 h,退火温度为300~700℃。对Cu(Ti)及Cu(Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构。通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性。结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿<111>晶向择优取向生长。两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散。Cu(Ti)/SiO_2/Si和Cu(Cr)/SiO_2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性。 展开更多
关键词 铜(铬)合金 铜(钛)合金 磁控溅射 界面 阻挡层 退火
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一种降低直调电/光转换组件功耗的封装方法
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作者 笪余生 唐彬浛 +3 位作者 张童童 景飞 吕晓萌 廖翱 《光通信技术》 2023年第5期63-66,共4页
为了降低直调电/光转换组件的功耗,以对组件的散热分析结论为基础,提出一种降低直调电/光转换组件功耗的封装方法,即对组件变形敏感的区域采用传统的柯伐合金材料,对半导体制冷器(TEC)底部要求快速散热的区域则采用热导率较高的金刚石... 为了降低直调电/光转换组件的功耗,以对组件的散热分析结论为基础,提出一种降低直调电/光转换组件功耗的封装方法,即对组件变形敏感的区域采用传统的柯伐合金材料,对半导体制冷器(TEC)底部要求快速散热的区域则采用热导率较高的金刚石铜材料。仿真与测试结果表明:所提出的方法可以降低TEC热端面与组件底面之间的温差、TEC的冷热两端面温差、TEC的电流和TEC自身产生的功耗;在工作温度为70℃时,电/光转换组件的单通道功耗从传统封装方式的2.875 W降低到1.25 W,功耗降低了56.5%。 展开更多
关键词 电/光转换组件 半导体制冷器 金刚石铜 功耗
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