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氮化镓基单片功率集成技术
被引量：
1
1
作者
周靖贵
陈匡黎
+1 位作者
周琦
张波
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期685-697,共13页
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。
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关键词
氮化镓
异质结
二维电子气
高电子迁移率晶体管
氮化镓单片功率集成
P沟道
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职称材料
题名
氮化镓基单片功率集成技术
被引量：
1
1
作者
周靖贵
陈匡黎
周琦
张波
机构
电子科技大学集成电路科学与工程学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期685-697,共13页
基金
国家自然科学基金(62174019)
广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
文摘
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。
关键词
氮化镓
异质结
二维电子气
高电子迁移率晶体管
氮化镓单片功率集成
P沟道
Keywords
GaN
heterojunction
2DEG
HEMTs
GaN single-chip power integration
p-channel
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氮化镓基单片功率集成技术
周靖贵
陈匡黎
周琦
张波
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
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