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高功率反向开关晶体管开关寿命特性
被引量：
6
1
作者
王海洋
何小平
+7 位作者
周竞之
陈维青
郭帆
谢霖燊
李俊娜
邹丽丽
汤俊萍
贾伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1191-1194,共4页
研制了10kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2Hz、峰值电流约107kA、峰值功率约1GW、单次传输电荷约20C、单次传输能量约100kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用...
研制了10kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2Hz、峰值电流约107kA、峰值功率约1GW、单次传输电荷约20C、单次传输能量约100kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用数值分析的方法,统计拟合得到了长脉冲大电流条件下RSD开关的寿命模型,并依据失效判据初步预估RSD开关的寿命可达107次。
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关键词
反向开关晶体管开关
固态开关
静态特性
寿命
大电流
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职称材料
12kV高压反向触发双极晶闸管开关组件
被引量：
3
2
作者
何小平
王海洋
+4 位作者
周竞之
陈维青
薛斌杰
汤俊萍
邱爱慈
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期803-806,共4页
介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10～12 kV。试验结果表明:该高压RSD串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电...
介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10～12 kV。试验结果表明:该高压RSD串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电流可达133 kA,传输电荷24 C,电流变化率可达4.12 kA/μs,导通的峰值功率可达1.6 GW。
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关键词
反向触发双极晶闸管开关
固态开关
磁开关
大电流
大库仑量
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职称材料
晶闸管强触发电路设计
被引量：
4
3
作者
郭帆
王海洋
+1 位作者
何小平
周竞之
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期698-700,731,共4页
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表...
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小(小于4 ns),具有较高的稳定性和可靠性。
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关键词
晶闸管
门极触发电流
强触发方式
功率MOSFET
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职称材料
题名
高功率反向开关晶体管开关寿命特性
被引量：
6
1
作者
王海洋
何小平
周竞之
陈维青
郭帆
谢霖燊
李俊娜
邹丽丽
汤俊萍
贾伟
机构
西北核技术研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1191-1194,共4页
文摘
研制了10kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2Hz、峰值电流约107kA、峰值功率约1GW、单次传输电荷约20C、单次传输能量约100kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用数值分析的方法,统计拟合得到了长脉冲大电流条件下RSD开关的寿命模型,并依据失效判据初步预估RSD开关的寿命可达107次。
关键词
反向开关晶体管开关
固态开关
静态特性
寿命
大电流
Keywords
reversely switched dynistor switch
solid-state switch
static characteristic
lifetime
high current
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
TM56 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
12kV高压反向触发双极晶闸管开关组件
被引量：
3
2
作者
何小平
王海洋
周竞之
陈维青
薛斌杰
汤俊萍
邱爱慈
机构
西北核技术研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期803-806,共4页
文摘
介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10～12 kV。试验结果表明:该高压RSD串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电流可达133 kA,传输电荷24 C,电流变化率可达4.12 kA/μs,导通的峰值功率可达1.6 GW。
关键词
反向触发双极晶闸管开关
固态开关
磁开关
大电流
大库仑量
Keywords
reversely switched dynistor
solid-state switch
magnetic switch
high current
high coulomb
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
TM56 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
晶闸管强触发电路设计
被引量：
4
3
作者
郭帆
王海洋
何小平
周竞之
机构
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
西北核技术研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期698-700,731,共4页
文摘
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小(小于4 ns),具有较高的稳定性和可靠性。
关键词
晶闸管
门极触发电流
强触发方式
功率MOSFET
Keywords
thyristor
gate current
high current triggering mode
power MOSFET
分类号
TN344 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率反向开关晶体管开关寿命特性
王海洋
何小平
周竞之
陈维青
郭帆
谢霖燊
李俊娜
邹丽丽
汤俊萍
贾伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
12kV高压反向触发双极晶闸管开关组件
何小平
王海洋
周竞之
陈维青
薛斌杰
汤俊萍
邱爱慈
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
晶闸管强触发电路设计
郭帆
王海洋
何小平
周竞之
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
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