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基于高温超导体的真空动态微力测量平台研究
被引量：
1
1
作者
何世熠
夏彦
+2 位作者
周磊簜
徐飞
欧阳晓平
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期32-38,共7页
针对α衰变微推进器等高辐射性、附着式空间微推进器的测量需求,提出了一种基于高温超导磁悬浮装置的真空动态微小力测量方法和平台。平台利用液氮、分子泵和高温超导体构建了低温、低压、低阻的实验条件,避免了接触型阻力的存在。实验...
针对α衰变微推进器等高辐射性、附着式空间微推进器的测量需求,提出了一种基于高温超导磁悬浮装置的真空动态微小力测量方法和平台。平台利用液氮、分子泵和高温超导体构建了低温、低压、低阻的实验条件,避免了接触型阻力的存在。实验时,硬磁转子将悬浮在超导导轨上进行单自由度的平面转动运动。通过光电测速系统对硬磁转子进行的较远距离长时间监测,实现了对微小力的测量,也减小了可能的放射性危害。重点介绍了微小力测量平台的关键子系统,分析了平台的运动特征与测力机制,给出了实验流程与数据处理方法,并进行了标定实验。经标定,平台可实现小于1μN的推力测量。平台的阻力可低至511±35 nN,微力测量的下限为66 nN。
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关键词
微小力测量
高温超导体
实验平台
运动特征
标定实验
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职称材料
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
2
作者
宋昱杉
陈浩
+7 位作者
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
《人工晶体学报》
2025年第9期1574-1583,共10页
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MP...
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。
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关键词
低温超临界流体工艺
超宽禁带半导体
β-Ga_(2)O_(3)
肖特基势垒二极管
界面态密度
电学性能
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职称材料
题名
基于高温超导体的真空动态微力测量平台研究
被引量：
1
1
作者
何世熠
夏彦
周磊簜
徐飞
欧阳晓平
机构
清华大学工程物理系
西北核技术研究院
北京卫星环境工程所
西安交通大学
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期32-38,共7页
基金
国家自然科学基金(11605010)项目资助
文摘
针对α衰变微推进器等高辐射性、附着式空间微推进器的测量需求,提出了一种基于高温超导磁悬浮装置的真空动态微小力测量方法和平台。平台利用液氮、分子泵和高温超导体构建了低温、低压、低阻的实验条件,避免了接触型阻力的存在。实验时,硬磁转子将悬浮在超导导轨上进行单自由度的平面转动运动。通过光电测速系统对硬磁转子进行的较远距离长时间监测,实现了对微小力的测量,也减小了可能的放射性危害。重点介绍了微小力测量平台的关键子系统,分析了平台的运动特征与测力机制,给出了实验流程与数据处理方法,并进行了标定实验。经标定,平台可实现小于1μN的推力测量。平台的阻力可低至511±35 nN,微力测量的下限为66 nN。
关键词
微小力测量
高温超导体
实验平台
运动特征
标定实验
Keywords
micro-force measurement
high temperature superconductor
experiment platform
motion characteristic
calibration test
分类号
V216 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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职称材料
题名
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
2
作者
宋昱杉
陈浩
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
机构
西安交通大学微电子学院
出处
《人工晶体学报》
2025年第9期1574-1583,共10页
基金
国家重点实验室稳定支持基金(JBSY252800260)
宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室开放基金(2413S121)
国家自然科学基金(62204198)。
文摘
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。
关键词
低温超临界流体工艺
超宽禁带半导体
β-Ga_(2)O_(3)
肖特基势垒二极管
界面态密度
电学性能
Keywords
low-temperature supercritical fluid process
ultrawide bandgap semiconductor
β-Ga_(2)O_(3)
Schottky barrier diode
interface state density
electrical performance
分类号
TN31 [电子电信]
TN355 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于高温超导体的真空动态微力测量平台研究
何世熠
夏彦
周磊簜
徐飞
欧阳晓平
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
在线阅读
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职称材料
2
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
宋昱杉
陈浩
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
《人工晶体学报》
2025
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