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CuGa_(2)前驱体合金的制备和去合金化过程中纳米多孔铜的形成
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作者 周玉鑫 胡劲 +3 位作者 朱家军 王开军 段云彪 张维钧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期782-789,共8页
在220℃的加热条件下制备前驱体CuGa_(2)合金,运用化学腐蚀与电化学腐蚀两种去合金方法制备纳米多孔铜,分析不同浓度的腐蚀介质对多孔结构形成的影响,并分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)和电感耦合... 在220℃的加热条件下制备前驱体CuGa_(2)合金,运用化学腐蚀与电化学腐蚀两种去合金方法制备纳米多孔铜,分析不同浓度的腐蚀介质对多孔结构形成的影响,并分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)和电感耦合等离子体质谱仪(ICP-Ms)分析样品的相组成和微观形貌。结果表明,合金化过程中以甲基硅油作为防氧化保护介质可获得前驱体CuGa_(2)合金;不同腐蚀介质对纳米多孔铜的形成有显著影响。在电化学腐蚀过程中,由于不同溶液中Cu,Ga与CuGa_(2)的平衡电位不同对纳米多孔铜的形成影响显著,1M HCl溶液中CuGa_(2)的平衡电位与Cu的平衡电位相近,Ga、Cu原子会共同溶解导致无法形成多孔结构;1M NaOH溶液中Cu与CuGa_(2)的平衡电位的电位差较大,可进行充分腐蚀获得多孔结构,形成的多孔孔隙分布杂乱且不均匀,孔径范围为120 nm~1μm。前驱体合金经1M HCl溶液的化学腐蚀,由于H^(+)的腐蚀作用,Cl^(-)促进Cu原子的扩散重排,获得的多孔纳米铜形貌与结构更加清晰均匀且连续,其孔径范围为20~100 nm。 展开更多
关键词 合金化 CuGa 2合金 腐蚀介质 去合金 纳米多孔铜
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小净距隧道合理净距的研究
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作者 周玉鑫 于晓彤 阎良平 《山西建筑》 2010年第36期302-303,共2页
利用M IDAS/GTS有限元软件进行隧道开挖过程的模拟,通过改变隧道间的净距值,分析了隧道围岩的位移、主应力分布与净距之间的关系,得出了适用于本文研究的小净距隧道工程的合理净距建议值。
关键词 小净距 位移 主应力 数值模拟
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