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电子倍增型GaAs光阴极实验研究
1
作者
胡仓陆
郭晖
+6 位作者
焦岗成
彭岔霞
冯驰
徐晓兵
周玉鉴
成伟
王书菲
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期1549-1554,共6页
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对...
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
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关键词
砷化镓
光阴极
雪崩倍增
电子增益
负电子亲和势
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职称材料
Ⅲ族氮化物光电阴极原位程序升温脱附（英文）
2
作者
成伟
石峰
+2 位作者
杨书宁
周玉鉴
任彬
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第10期211-217,共7页
建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究Ⅲ族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型,利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱...
建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究Ⅲ族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型,利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究,通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在Ⅲ族氮化物光电阴极TPD动态法实验中,研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图,由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到:恒温1 000 K的条件下,N2的扩散系数为5×10-5cm2/s。通过理论分析结合TPD实验,Ⅲ族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。
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关键词
Ⅲ族氮化物光电阴极部件
程序升温脱附
残余气体谱
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职称材料
题名
电子倍增型GaAs光阴极实验研究
1
作者
胡仓陆
郭晖
焦岗成
彭岔霞
冯驰
徐晓兵
周玉鉴
成伟
王书菲
机构
微光夜视技术重点实验室
北方夜视科技集团有限公司
西北工业大学材料学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期1549-1554,共6页
文摘
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
关键词
砷化镓
光阴极
雪崩倍增
电子增益
负电子亲和势
Keywords
GaAs
photocathode
avalanche mulitplication
electron gain
negative electron affinity
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ⅲ族氮化物光电阴极原位程序升温脱附（英文）
2
作者
成伟
石峰
杨书宁
周玉鉴
任彬
机构
微光夜视技术重点实验室
昆明物理研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第10期211-217,共7页
基金
国防预先研究基金(9140C380502150C38002)
文摘
建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究Ⅲ族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型,利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究,通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在Ⅲ族氮化物光电阴极TPD动态法实验中,研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图,由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到:恒温1 000 K的条件下,N2的扩散系数为5×10-5cm2/s。通过理论分析结合TPD实验,Ⅲ族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。
关键词
Ⅲ族氮化物光电阴极部件
程序升温脱附
残余气体谱
Keywords
Ⅲ-nitride photocathode assembly
temperature programmed desorption
residual gas spectrum
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子倍增型GaAs光阴极实验研究
胡仓陆
郭晖
焦岗成
彭岔霞
冯驰
徐晓兵
周玉鉴
成伟
王书菲
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
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职称材料
2
Ⅲ族氮化物光电阴极原位程序升温脱附（英文）
成伟
石峰
杨书宁
周玉鉴
任彬
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019
0
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职称材料
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