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全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET二维解析模型
1
作者
周爱榕
王栋
+1 位作者
高珊
陈军宁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期109-114,共6页
采用分离变量法求解柱坐标系下二维泊松方程,建立了考虑耗尽电荷和自由电荷的全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET的二维体电势模型,并在此基础上得到阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型。研究了不同区域长度和漏压下的表面势,分析了不同掺杂的...
采用分离变量法求解柱坐标系下二维泊松方程,建立了考虑耗尽电荷和自由电荷的全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET的二维体电势模型,并在此基础上得到阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型。研究了不同区域长度和漏压下的表面势,分析了不同掺杂的区域长度和掺杂浓度对器件性能的影响。结果表明,与均匀掺杂的GAA MOSFET相比,阶梯掺杂结构不仅降低了漏端电场,而且能更好地抑制短沟道效应和热载流子效应;通过对掺杂区域参数进行优化,可以提高器件的可靠性。
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关键词
围栅
阶梯掺杂沟道
自由电荷
体电势
3D-ATLAS
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职称材料
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
2
作者
王栋
周爱榕
高珊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-15,51,共7页
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通...
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。
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关键词
复合型栅氧化层
复合型栅氧化层薄膜双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
介电常数
阈值电压
电流模型
亚阈值斜率
短沟道效应
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职称材料
题名
全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET二维解析模型
1
作者
周爱榕
王栋
高珊
陈军宁
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期109-114,共6页
基金
国家核高基重大专项(2010ZX0103 0-001-001-004)
文摘
采用分离变量法求解柱坐标系下二维泊松方程,建立了考虑耗尽电荷和自由电荷的全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET的二维体电势模型,并在此基础上得到阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型。研究了不同区域长度和漏压下的表面势,分析了不同掺杂的区域长度和掺杂浓度对器件性能的影响。结果表明,与均匀掺杂的GAA MOSFET相比,阶梯掺杂结构不仅降低了漏端电场,而且能更好地抑制短沟道效应和热载流子效应;通过对掺杂区域参数进行优化,可以提高器件的可靠性。
关键词
围栅
阶梯掺杂沟道
自由电荷
体电势
3D-ATLAS
Keywords
gate-all-around（GAA）
stepped channel doping
mobile charge
bulk potential
3D-ATLAS
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
2
作者
王栋
周爱榕
高珊
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-15,51,共7页
基金
国家核高基重大专项(2010ZX01030-001-001-004)
文摘
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。
关键词
复合型栅氧化层
复合型栅氧化层薄膜双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
介电常数
阈值电压
电流模型
亚阈值斜率
短沟道效应
Keywords
double insulator layers
dual insulator double gate（DIDG）MOSFET
dielectric constant
threshold voltage
current model
subthreshold slope
short channel effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
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1
全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET二维解析模型
周爱榕
王栋
高珊
陈军宁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
2
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
王栋
周爱榕
高珊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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