碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究 被引量：3

1

作者 周文洪 叶振华 +3 位作者 邢雯 胡晓宁 丁瑞军 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1029-1031,共3页

文章报道了碲镉汞(HgCdTe)深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果。采用诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(R IE)技术获得的HgCdTe深微台面列阵,在金刚刀解理后,通过扫描电子显微镜(SEM)观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓。进一... 文章报道了碲镉汞(HgCdTe)深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果。采用诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(R IE)技术获得的HgCdTe深微台面列阵,在金刚刀解理后,通过扫描电子显微镜(SEM)观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓。进一步研究了刻蚀时间和刻蚀槽开口宽度对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于深微台面芯片工艺设计的实验结果。 展开更多

关键词 碲镉汞 ICP增强RIE 深微台面列阵 剖面轮廓

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HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究 被引量：1

2

作者 周文洪 叶振华 +2 位作者 胡晓宁 丁瑞军 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期928-930,共3页

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁... 文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。 展开更多

关键词 HGCDTE 刻蚀掩模 干法刻蚀 磁控溅射 SIO2

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双色红外焦平面研究进展 被引量：19

3

作者 丁瑞军 叶振华 +2 位作者 周文洪 胡晓宁 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期14-17,29,共5页

介绍了叠层双色红外焦平面的发展背景和适用的材料体系,及其在国际上的发展现状,重点论述了叠层双色探测器结构类型及其探测特点,最后介绍了国内碲镉汞叠层双色焦平面的研究进展。报道了基于n-+p-P-P-N多层异质结Hg1-xCdxTe材料的叠层中... 介绍了叠层双色红外焦平面的发展背景和适用的材料体系,及其在国际上的发展现状,重点论述了叠层双色探测器结构类型及其探测特点,最后介绍了国内碲镉汞叠层双色焦平面的研究进展。报道了基于n-+p-P-P-N多层异质结Hg1-xCdxTe材料的叠层中波/短波(256×1)×2红外双色焦平面器件研制及性能。在77 K液氮温度下,红外焦平面探测器的两个波段的截止波长λc分别为2.8μm和3.9μm,中波/短波焦平面的平均单色探测率D*%p分别为1.8×1011 cmHz1/2/W和9.6×1010 cmHz1/2/W。 展开更多

关键词 双色 红外焦平面 碲镉汞

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碲镉汞红外双色探测器响应光谱研究 被引量：9

4

作者 叶振华 周文洪 +3 位作者 胡伟达 胡晓宁 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期4-7,共4页

报道了集成碲镉汞红外双色焦平面探测芯片光谱特性研究的初步结果.针对HgCdTe红外双色探测原型芯片短波响应光谱偏窄的现象,展开了双色探测芯片光谱特性与结构特性内在关系的理论分析和实验研究,发现了SW响应光谱窄的起因和解决思路。

关键词 HGCDTE 双色焦平面 光谱特性 结构特性 吸收系数

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碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究 被引量：5

5

作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期326-328,共3页

利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响,发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后,器件的信噪比和零偏电阻有显著的改善.通过采取在氢化过程中进行光刻胶保护的方法,发现氢化作用主要发生在注入区域之外... 利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响,发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后,器件的信噪比和零偏电阻有显著的改善.通过采取在氢化过程中进行光刻胶保护的方法,发现氢化作用主要发生在注入区域之外的P区一侧;通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处.分析认为氢离子对ZnS和碲镉汞的界面产生钝化,降低了界面态密度,减弱了P型区的表面漏电,提高了PN结的击穿电压和结电阻,从而改善了器件的性能. 展开更多

关键词 氢化 钝化 光伏探测器 碲镉汞

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碲镉汞光伏型探测器的变面积氢化研究 被引量：4

6

作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期425-428,共4页

利用氢等离子体对碲镉汞光伏型探测器进行了变面积氢化处理研究,发现随着氢化面积的变大,器件的电流-电压(I-V)特性得到明显改善,表现在器件的暗电流变小,零偏电阻R0变大,同时器件的电流噪声也随着氢化面积的扩大而逐渐降低.通过对比实... 利用氢等离子体对碲镉汞光伏型探测器进行了变面积氢化处理研究,发现随着氢化面积的变大,器件的电流-电压(I-V)特性得到明显改善,表现在器件的暗电流变小,零偏电阻R0变大,同时器件的电流噪声也随着氢化面积的扩大而逐渐降低.通过对比实验结果和数值拟合结果,认为氢化工艺对器件性能的改善机制与氢化区域有关,当氢化区域限于N型区时,氢化的效果主要表现在降低注入损伤导致的少子复合中心从而提高少子寿命;当氢化区域扩大到P型区时,氢化的效果主要表现在使表面耗尽区中的陷阱中心减少,主要通过降低间接隧道电流来改善器件性能,这说明了实验中注入成结的光伏器件为N+P结. 展开更多

关键词 氢化 变面积 钝化 光伏探测器 碲镉汞

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弥散强化铜合金中弥散相的观察及析出过程 被引量：4

7

作者 陆艳杰 崔舜 +1 位作者 康志君 周文洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期219-221,共3页

用透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HRTEM)观察了Al2O3弥散强化铜合金的微观结构,并分析了影响弥散相大小及分布的因素。用X射线衍射仪精确测定了Cu基体的衍射峰位置,依据衍射峰的位置变化探讨了Al脱溶及Al2O3质点的析出过程。结果表明:用内... 用透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HRTEM)观察了Al2O3弥散强化铜合金的微观结构,并分析了影响弥散相大小及分布的因素。用X射线衍射仪精确测定了Cu基体的衍射峰位置,依据衍射峰的位置变化探讨了Al脱溶及Al2O3质点的析出过程。结果表明:用内氧化法制备弥散强化铜合金时,Al2O3质点在内氧化阶段析出,且Al充分脱溶,内氧化反应进行得很彻底;合金在烧结和热挤压阶段都没有质点析出。合金中Al2O3质点均匀弥散地分布在晶界和晶粒内,并且晶粒内质点比晶界质点更细小、弥散,大小约5nm,间距10nm,晶界处的质点大小约10nm,间距约50nm。 展开更多

关键词 弥散强化 铜合金 微观结构 内氧化

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光导型碲镉汞探测器的氢化研究 被引量：2

8

作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期261-264,共4页

为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利... 为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利于提高器件的性能,表现在处理后器件响应信号提高且噪声下降,从光谱响应上表现为器件短波方向的响应抬高;对于同样的氢化处理条件,通过改变ZnS钝化层的厚度,发现具有较大厚度ZnS层的器件的氢化效果更好。SIMS测试发现氢化过程中氢离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,分析认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度,提高了器件的性能。 展开更多

关键词 氢化 钝化 碲镉汞 光导探测器

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不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

9

作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期738-740,743,共4页

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,... 利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加。对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能。 展开更多

关键词 氢化 钝化 光导探测器 碲镉汞

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管道漏磁检测成果的分析及应用 被引量：1

10

作者 沈群 周文洪 韩光谱 《天然气技术与经济》 2015年第6期46-48,83,共3页

天然气管道缺陷是影响管道失效的重要因素之一,为检测管道存在的金属损失缺陷,消除管道自身的隐患,中国石油西南油气田公司某气矿近14年来对所有适应检测的管道进行了漏磁检测。介绍了管道漏磁检测技术的特点,在加强自身管理的基础上,... 天然气管道缺陷是影响管道失效的重要因素之一,为检测管道存在的金属损失缺陷,消除管道自身的隐患,中国石油西南油气田公司某气矿近14年来对所有适应检测的管道进行了漏磁检测。介绍了管道漏磁检测技术的特点,在加强自身管理的基础上,对检测成果的管道数据进行了金属损失缺陷分析,并结合管道敷设的地理特征和经验,准确查找到缺陷位置,对缺陷管道剩余强度进行评价,然后采取适宜的换管、绝缘或加强修复方式实行缺陷修复,使管道缺陷隐患得到有效地控制,从而确保管道运行安全。 展开更多

关键词 管道 漏磁检测 检测成果 缺陷评价 缺陷修复

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小型家纺企业ERP系统总体架构设计

11

作者 周文洪 《黑龙江科技信息》 2010年第29期126-126,共1页

本文结合小型家纺企业的具体需求特点,进行了家纺企业ERP系统的总体架构设计。功能包括销售管理、采购管理、生产管理、库存管理、人事管理等子系统。论文的研究成果对小型家纺企业ERP系统的建设具有较好的应用价值和现实意义。

关键词 ERP 家纺 企业信息化

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砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性 被引量：1

12

作者 刘斌 周文洪 +2 位作者 李海滨 邓屹 胡晓宁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期510-513,共4页

报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波器件。

关键词 碲镉汞 光伏探测器 砷掺杂 R0A 暗电流

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碲镉汞高温中波红外探测器的制备研究 被引量：7

13

作者 杨朝臣 张冰洁 +5 位作者 杜宇 陈晓静 周文洪 刘斌 黄立 张传杰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期204-208,共5页

采用CdTe/ZnS双层钝化工艺制备了640×512@15μm碲镉汞中波探测器。研究了退火温度对CdTe/MCT界面及CdTe钝化膜质量的影响。经测试表明:本公司制备的碲镉汞HOT中波探测器可以在125 K稳定工作,但与国外的先进技术相比仍存在差距,需要... 采用CdTe/ZnS双层钝化工艺制备了640×512@15μm碲镉汞中波探测器。研究了退火温度对CdTe/MCT界面及CdTe钝化膜质量的影响。经测试表明:本公司制备的碲镉汞HOT中波探测器可以在125 K稳定工作,但与国外的先进技术相比仍存在差距,需要在MCT材料改进和器件加工工艺上继续深入研究,才能提高探测器的工作温度和稳定性。 展开更多

关键词 碲镉汞 高温中波 CdTe/ZnS双层钝化 红外探测器

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InAs/GaSb超晶格长波红外探测器 被引量：2

14

作者 汪良衡 李云涛 +5 位作者 雷华伟 杨煜 丁颜颜 张舟 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期473-476,共4页

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研... InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研究的持续发展,成为第三代红外探测器技术的最佳选择,并在国防建设、医疗、电力、天文学、抗灾方面有着广泛的应用。本文着重介绍了Ⅱ类超晶格长波红外探测器器件的制备、焦平面的成像测试以及器件的相关性能。长波探测器器件在77 K条件下10%截止波长为14mm,峰值量子效率为35%,峰值响应2.6 A/W,峰值探测率接近1×1010cm Hz1/2W^(-1)。 展开更多

关键词 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 长波红外

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12μm像元间距1280×1024碲镉汞中波红外焦平面探测器的制备及性能研究 被引量：5

15

作者 刘伟华 刘帆 +5 位作者 吴正虎 姚柏文 汪良衡 张冰洁 刘道进 周文洪 《红外》 CAS 2020年第3期9-15,共7页

武汉高德红外股份有限公司成功研制了像元尺寸为12 m×12 m的1280×1024大面阵碲镉汞中波红外焦平面探测器。在优化提升材料性能的基础上,突破了小像元钝化开孔、高密度小尺寸铟柱制备以及高精度大面阵倒焊等关键技术,成功制备... 武汉高德红外股份有限公司成功研制了像元尺寸为12 m×12 m的1280×1024大面阵碲镉汞中波红外焦平面探测器。在优化提升材料性能的基础上,突破了小像元钝化开孔、高密度小尺寸铟柱制备以及高精度大面阵倒焊等关键技术,成功制备出了1280×1024@12 m碲镉汞中波红外焦平面芯片及组件。其盲元率小于0.5%,响应率非均匀性小于5%。F2探测器的平均噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为15 mK,平均峰值探测率为6×1011 cm·Hz1/2·W-1。F4探测器的平均NETD为18.5 mK,平均峰值探测率为1.2×1012 cm·Hz1/2·W-1。另外还提出了一种不稳定像元测试方法,即通过分析两点校正后的成像数据,并利用模块中值和空域噪声的比较,完成对红外图像中不稳定像元的检测和校正。结果表明,校正后的红外成像画质良好,在120 K时器件性能无明显降低。 展开更多

关键词 碲镉汞 小像元 百万像素 盲元 红外探测器

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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量：1

16

作者 李云涛 张舟 +7 位作者 丁颜颜 杨煜 雷华伟 汪良衡 谭必松 张传杰 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期731-734,共4页

武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为... 武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。 展开更多

关键词 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 640×512 长波红外 焦平面探测器

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HgCdTe外延材料批量化生产及其质量控制 被引量：1

17

作者 张冰洁 杜宇 +6 位作者 陈晓静 杨朝臣 袁文辉 张传杰 周文洪 刘斌 黄立 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1099-1103,共5页

经过多年研发,我司的碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器已达到批量生产的水平。优异性能的红外探测器离不开高质量的HgCdTe外延材料,外延材料的厚度及组分均匀性、表面缺陷的控制以及HgCdTe外延/CdZnTe衬底晶格匹配度是批量化生产中需要... 经过多年研发,我司的碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器已达到批量生产的水平。优异性能的红外探测器离不开高质量的HgCdTe外延材料,外延材料的厚度及组分均匀性、表面缺陷的控制以及HgCdTe外延/CdZnTe衬底晶格匹配度是批量化生产中需要控制的关键性因素,红外探测器的批量化生产也给HgCdTe外延材料质量稳定性以及一致性的控制提出了更高的要求。本文介绍了HgCdTe外延材料批量化生产中这几项关键指标的控制,以及外延质量优化后红外焦平面性能的提升。 展开更多

关键词 HgCdTe外延材料 批量化生产 质量控制 红外焦平面探测器

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CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究 被引量：1

18

作者 杨朝臣 张冰洁 +5 位作者 杜宇 张传杰 陈晓静 谭必松 周文洪 刘斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1118-1122,共5页

开展了Cd Te/Zn S双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。Cd Te钝化膜经退火热处理后,可实现Cd Te/MCT界面的互扩散,并改善Cd Te钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15μm规格线列和640×... 开展了Cd Te/Zn S双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。Cd Te钝化膜经退火热处理后,可实现Cd Te/MCT界面的互扩散,并改善Cd Te钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15μm规格线列和640×512@15μm规格面阵。线列I-V测试表明:Cd Te/Zn S双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好。面阵在77K测试:NETD 26.7 m K,有效像元率95.4%,并对室温目标进行了凝视成像。测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间。 展开更多

关键词 碲镉汞 长波红外 CdTe/ZnS双层钝化 探测器

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高德红外640×512中波红外探测器的规模化生产 被引量：3

19

作者 刘文波 刘斌 +10 位作者 凡陈玲 余志杰 张丽芳 程海玲 杨益 孙超 李云鹏 张传杰 王立保 周文洪 黄立 《红外》 CAS 2021年第2期8-14,共7页

经过多年的研发工作,制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力,其阵列规格也从最初的320×256发展到现在的1280×1024(百万像元级)。目前,随着武汉高德红外股份有限公司(以下简称&q... 经过多年的研发工作,制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力,其阵列规格也从最初的320×256发展到现在的1280×1024(百万像元级)。目前,随着武汉高德红外股份有限公司(以下简称"高德红外公司")探测器产品水平的不断提高,基于红外探测器的热成像系统被广泛应用于机载、舰载、陆战以及手持观测等军用装备。以640×512/15μm碲镉汞中波红外探测器为例,介绍了高德红外公司探测器产品的工程化应用情况,并分析了探测器研制过程中需要解决的问题,最后指出了未来探测器发展及应用的方向。 展开更多

关键词 红外探测器 碲镉汞 工程化问题

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InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究

20

作者 张舟 汪良衡 +5 位作者 杨煜 李云涛 丁颜颜 雷华伟 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期863-867,共5页

采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波... 采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30mm。其中测得80K温度下,-0.1V偏压工作时中波50%截止波长为4.5mm,0.17V偏压工作时长波50%截止波长为10.5mm,对应的峰值量子效率为45%、33%,相应的暗电流密度为5.94×10^(-7)A/cm^2@-0.1V、1.72×10^(-4)A/cm^2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK。 展开更多

关键词 INAS/GASB 二类超晶格 中长波双色 焦平面阵列

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