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两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响
被引量：
2
1
作者
孙宇澄
李雪冬
+3 位作者
周圆苑
朱基亮
肖定全
朱建国
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期718-720,727,共4页
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完...
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。
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关键词
射频磁控溅射
0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)
薄膜
快速退火(RTA)
在线阅读
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职称材料
题名
两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响
被引量：
2
1
作者
孙宇澄
李雪冬
周圆苑
朱基亮
肖定全
朱建国
机构
四川大学材料科学与工程学院
绵阳师范学院物理与电子信息工程系
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期718-720,727,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60771016)
文摘
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。
关键词
射频磁控溅射
0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)
薄膜
快速退火(RTA)
Keywords
RF magnetron sputtering
PSTT5
thin films, RTA
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响
孙宇澄
李雪冬
周圆苑
朱基亮
肖定全
朱建国
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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