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Si、Na掺杂的W-Ni-Fe高比重合金界面结构的影响 被引量：6
1
作者 周国安 刘勇 +1 位作者 邓欣 黄继华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期3-8,22,共7页
采用人为加入Ｓｉ、Ｎａ掺杂的方法，研究了Ｓｉ、Ｎａ掺杂对高比重合金中的Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ及Ｗ－Ｗ界面结构所产生的影响。发现Ｓｉ、Ｎａ掺杂使合金中的Ｗ－Ｎｉ，Ｆｅ及Ｗ－Ｗ界面产生孔隙，并偏聚于界面处生成层状ＳｉＯ２夹杂相，... 采用人为加入Ｓｉ、Ｎａ掺杂的方法，研究了Ｓｉ、Ｎａ掺杂对高比重合金中的Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ及Ｗ－Ｗ界面结构所产生的影响。发现Ｓｉ、Ｎａ掺杂使合金中的Ｗ－Ｎｉ，Ｆｅ及Ｗ－Ｗ界面产生孔隙，并偏聚于界面处生成层状ＳｉＯ２夹杂相，孔隙和层状夹杂相严重削弱了Ｗ－Ｎｉ，Ｆｅ界面结合力，并使合金在冷却过程中产生微裂纹。 展开更多
关键词 高比重合金 掺杂 界面结构 硅 钠 合金
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CMP中抛光垫的性质研究 被引量：4
2
作者 周国安 种宝春 +1 位作者 柳滨 王学军 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期488-491,共4页
以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。从分析结果可以得出：IC1000／SubaIV比单层结构IC1000具有更好的抛光效果；新旧抛光垫性能在0... 以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。从分析结果可以得出：IC1000／SubaIV比单层结构IC1000具有更好的抛光效果；新旧抛光垫性能在0～40℃基本相当；新、旧和没有黏合剂抛光垫的正常工作温度为-2．02～103．64℃，且玻璃过渡温度随着抛光垫厚度的减小而增加；抛光垫在0～50℃具有最小的外形变化。定性得出修整力与抛光精度成反比关系，明确了较小修整深度具备较好的平坦化效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 玻璃过渡温度 机械动力分析 热机械分析 修整器
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CMP承载器的初步研究 被引量：3
3
作者 周国安 柳滨 +2 位作者 王学军 种宝春 詹阳 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期668-671,共4页
在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上... 在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 边缘效应 多区域控制 承载器 保持环
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CMP综合终点检测研究 被引量：3
4
作者 周国安 刘多勤 +1 位作者 凃佃柳 詹阳 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期371-374,382,共5页
在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测硬件电路的设计效果进行了验证。采用STRASBAUGH的Nvision软件进行移植,设置其增益、漂移量、数字过滤器... 在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测硬件电路的设计效果进行了验证。采用STRASBAUGH的Nvision软件进行移植,设置其增益、漂移量、数字过滤器的频率和类型。以W作为抛光对象,以TiN作为阻挡层,优化了工艺参数菜单设置并实施抛光,在实时形成信号曲线的基础上,由主机综合三种终点检测信号的情况,判断出精准的终点位置,为CMP抛光终点的监测和抛光垫的修整和更换提供科学的依据。 展开更多
关键词 化学机械抛光 电机电流终点检测 光学终点检测 温度信号 抛光垫
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TDM/TDMA系统中继网络设计 被引量：2
5
作者 周国安 李明伟 《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 2001年第1期33-36,共4页
对 TDM/TDMA通信系统传输信号的特点及中继网络所须解决的难点问题进行了研究 ,提出了一种简单实用的解决方法 ,介绍了电路的组成及原理 ,分析了系统的性能。在须插入多级中继的时分多址通信系统中 。
关键词 点对多点通信 中继通信系统 时分多址
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低k材料的化学机械抛光研究 被引量：1
6
作者 周国安 种宝春 《微纳电子技术》 CAS 2008年第5期293-297,共5页
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的... 阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的硬度和模数值;根据Preston方程绘制九点测量数据图,发现前三种材料可满足抛光机理,而后两种的抛光行为更倾向于表面反应;根据五种材料抛光前后的实验数据表面形态图表,判断出抛光后材料粗糙度的走向。最后指出低k材料需要发展和完善的工艺及对抛光设备的进一步要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光 声发射信号在线检测 普莱斯顿方程 低K材料 表面形貌
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CMP加工过程去除率的影响因素研究 被引量：6
7
作者 周国安 柳滨 +1 位作者 王学军 种宝春 《电子工业专用设备》 2008年第1期34-37,共4页
CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生... CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率。 展开更多
关键词 全局平坦化 化学机械抛光 下压力 抛光盘 抛光液
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红外光学终点检测的研究 被引量：4
8
作者 周国安 柳滨 +1 位作者 王学军 詹阳 《电子工业专用设备》 2008年第9期7-10,共4页
终点检测是化学机械平坦化的关键技术,它决定着理想的平坦运行的停止点,在以纳米级别的控制上,终点检测尤为重要。目前主要的两种终点检测方法:电机电流存在着误判断,而可见光干涉存在着光蚀效应等。低能量的红外检测根据不同介质及同... 终点检测是化学机械平坦化的关键技术,它决定着理想的平坦运行的停止点,在以纳米级别的控制上,终点检测尤为重要。目前主要的两种终点检测方法:电机电流存在着误判断,而可见光干涉存在着光蚀效应等。低能量的红外检测根据不同介质及同种介质不同厚度的红外吸收和反射系数不同的原理精确地选择平坦化终点完全克服以上检测手段的不足。阐述了其原理,设计了其硬件原理图,定性分析了红外测量曲线,并指出今后终点检测的方向。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 电机电流终点检测 光学干涉终点检测 红外 铜层
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红外技术在电气设备检测中的应用 被引量：14
9
作者 周国安 《红外》 CAS 2007年第5期36-39,共4页
在传统条件下,我们无法对电气设备进行直接测温,不能及时发现设备过热现象。红外热像仪可以通过测温方法解决设备故障。本文着重论述了红外在线检测的原理和特点,并介绍了检测的实际例子和结果分析以及常用的检测方法。
关键词 在线检测 温度异常 红外热成像 巡视测温
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CMP后清洗技术发展历程 被引量：5
10
作者 周国安 徐存良 《电子工业专用设备》 2013年第8期9-12,44,共5页
从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全... 从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 后清洗 RCA湿法清洗 在线清洗 集成清洗
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ULSI制造中铜CMP抛光液研究 被引量：2
11
作者 周国安 王学军 +1 位作者 柳滨 邱勤 《电子工业专用设备》 2008年第2期4-6,35,共4页
ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,指出了今后抛光液的研究发展方向。
关键词 化学机械抛光 抛光液 铜
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镍铁预合金粉作粘结相对钨基高比重合金性能和组织的影响
12
作者 周国安 黄继华 +2 位作者 周树华 赖和怡 张守全 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 1996年第3期21-25,共5页
研究了Ｎｉ－Ｆｅ预合金粉末作粘结相对９０Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ高比重合金性能的影响。发现用Ｎｉ－Ｆｅ预合金粉的高比重合金延伸率和冲击韧性有所提高，而强度有所下降，其主要原因是羰基法制取预合金粉中存在Ｃ、Ｏ、Ｎ等杂质并分布... 研究了Ｎｉ－Ｆｅ预合金粉末作粘结相对９０Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ高比重合金性能的影响。发现用Ｎｉ－Ｆｅ预合金粉的高比重合金延伸率和冲击韧性有所提高，而强度有所下降，其主要原因是羰基法制取预合金粉中存在Ｃ、Ｏ、Ｎ等杂质并分布在钨晶粒和粘结相的界面上从而降低强度。 展开更多
关键词 高比重合金 羰基粉 预合金粉 钨基合金 显微组织
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钨-镍-铜高比重合金烧结时液相凝固机理的探讨
13
作者 周国安 赖和怡 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1989年第5期21-24,20,共5页
本文通过对烧结合金W-Ni-Cu液相凝固过程的研究,发现液相凝固类似于熔融合金的凝固,亦有形核和在温度梯度为负时的枝晶生长,不同之处是已有一个末溶的颗粒存在,从而,末溶相往往可以作为新相的核心,长大就依靠烧结时溶解-沉淀过程而长大。
关键词 烧结合金 钨 镍 铜 合金 液相凝固
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海量小文件元数据的分布式存储与检索
14
作者 周国安 李强 +1 位作者 陈新 胡旭 《空军预警学院学报》 2014年第6期427-431,共5页
针对现有分布式文件系统处理海量小文件时存在的主节点元数据处理性能瓶颈问题,提出采用分布式文件来存储元数据,并通过元数据缓冲和Hash映射实现元数据的分布;采用Map Reduce并行程序对元数据检索进行了实现,并指出了并行检索中存在的... 针对现有分布式文件系统处理海量小文件时存在的主节点元数据处理性能瓶颈问题,提出采用分布式文件来存储元数据,并通过元数据缓冲和Hash映射实现元数据的分布;采用Map Reduce并行程序对元数据检索进行了实现,并指出了并行检索中存在的问题,提出采取局部位图索引对元数据检索进行了优化.最后通过实验进行了验证,实验结果证明,该方法实现了海量元数据的分布式存储与检索,避免了现有分布式文件系统在处理海量小文件时存在的主节点单点性能瓶颈. 展开更多
关键词 海量小文件 元数据 分布存储 并行检索
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CMP中真空供应系统的设计 被引量：1
15
作者 周国安 《电子工业专用设备》 2011年第8期9-11,18,共4页
针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求:(1)持续稳定的真空供应;(2)能够及时处理倒流液体;(3)真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计:增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常... 针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求:(1)持续稳定的真空供应;(2)能够及时处理倒流液体;(3)真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计:增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常运行情况下二者串联增加真空供应容积,并且自主收集倒流废液,而排液中依然可保证真空稳定供应;增加SMC真空开关及相应的控制系统,保证真空处于最低和最高设置负压之间,同时实现真空电机间歇式工作。从根本上解决了以上问题,且控制系统简洁可靠,满足生产需要。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 真空系统 电磁阀 继电器 真空槽体
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CMP透明膜厚测量设备发展历程
16
作者 周国安 王东辉 +2 位作者 李伟 高文泉 詹阳 《电子工业专用设备》 2014年第2期1-5,共5页
论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理，根据这些原理分析了离线测量设备，并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X，指出离线设备的特点及其局限性；分析了集成测量平台的特点，相比于离线测量，集成测量平台可获... 论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理，根据这些原理分析了离线测量设备，并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X，指出离线设备的特点及其局限性；分析了集成测量平台的特点，相比于离线测量，集成测量平台可获得较高的片间非均匀性．但会造成前5～7片的浪费，列举代表性集成平台NovaScan 2040，并分析其具体的技术特点：分析了在线传感器终点检测的优越性，其具有控制薄膜形貌及终点检测的功能，结合先进过程控制，可以达到极高的平整度；结合以上分析，指出今后CMP设备的发展方向。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 光学干涉法 椭圆偏振法 离线检测 集成测量平台 在线传感器测量
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CMP后的晶圆的测量和评估方法研究
17
作者 周国安 柳滨 +2 位作者 王学军 种宝春 詹阳 《电子工业专用设备》 2009年第1期15-18,35,共5页
综述了CMP后的晶圆测量方法,比较指出:光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜,而椭圆偏振法精度较高,但成本高昂,适宜于测量薄的薄膜。CMP后需要检测晶圆的表面状况,列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪。扫描电子显微镜... 综述了CMP后的晶圆测量方法,比较指出:光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜,而椭圆偏振法精度较高,但成本高昂,适宜于测量薄的薄膜。CMP后需要检测晶圆的表面状况,列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪。扫描电子显微镜常用于特征线宽的测量,其精度可达4nm;原子力显微镜是根据范德华力的原理制造,其探测精度高达0.1nm;但二者最大的缺陷就是操作复杂,成像十分费时。散射探测仪根据光的散射理论制造,可以快捷地全表面成二维图像,是值得推荐的一种测量手段。最后,指出今后的测量技术对半导体工艺的影响。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 光学干涉法 椭圆偏振法 扫描电子显微镜 原子力显微镜 散射探测仪
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CMP设备中几种下压力施加结构简介
18
作者 周国安 詹阳 +2 位作者 李伟 胡兴臣 陈威 《电子工业专用设备》 2016年第6期45-48,共4页
分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸... 分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸施加下压力的有效性;研究了中国电子科技集团公司第四十五研究所特有专利技术的转塔式结构采用的浮动悬挂模块,能够实现完全下压力的垂直性,同时具备维持压力的恒定性和微压力的灵敏性;然后分析应用材料的旋转木马形式结构,并研究了其结构的特色能够实现抛光头的垂直下降,而且薄膜的压力完全替代下压力和背压的作用,具备更好的晶圆平坦化性能。最后指出今后CMP压力结构应该具备高响应特性、少的移动部件。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 下压力 旋转臂 桥 转塔 旋转木马 薄膜
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CMP中铜的碟形缺陷的研究
19
作者 周国安 靳永吉 +1 位作者 张志军 詹阳 《电子工业专用设备》 2008年第12期23-26,共4页
具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成,但是与抛光垫的表面形态有关,在此基础上,分析了铜CMP的作用机制,初步定性指出造成铜的碟形缺陷的原因,并对缺陷进行建模。比较了铜的碟形缺陷的电阻实际测量值和理论计算值,发现带碟... 具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成,但是与抛光垫的表面形态有关,在此基础上,分析了铜CMP的作用机制,初步定性指出造成铜的碟形缺陷的原因,并对缺陷进行建模。比较了铜的碟形缺陷的电阻实际测量值和理论计算值,发现带碟形缺陷的电阻均大于理论值,并且随着铜的线宽增大,碟形缺陷也呈增大趋势。详细比较了选择性抛光液和非选择性抛光液对碟形缺陷的作用,从理论和测绘图形上证明选择性抛光液是造成碟形缺陷重要因素之一。采用了综合的工艺实验,最后得出抛光垫的种类及选择性抛光液在过抛光的情况下,是造成铜碟形缺陷的主要因素。 展开更多
关键词 CMP 碟形缺陷 铜 选择性浆料 抛光垫 压力
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铜布线化学机械抛光的失效研究
20
作者 周国安 柳滨 +1 位作者 王学军 种宝春 《电子工业专用设备》 2008年第10期43-45,55,共4页
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下... 分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性。分析100μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大。最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大。 展开更多
关键词 铜 化学机械平坦化 钽 碟形缺陷 侵蚀
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