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SiCl_(4)-CH_(4)-H_(2)-Ar体系中SiC晶须的VLS法生长
1
作者
周哲仪
陈云
+2 位作者
张恒
俞强
陈钢
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期339-339,共1页
VLS法生长机制首先是由R.s.Wagner和W.C.Ellis在1964年提出的。在我们研究上述体系的同时,日本Gifu大学的Seiji Motojima等在1988年发生了Si_(2)Cl_(6)-CH_(4)-H_(2)-Ar系制备SiC晶须的研究。
关键词
VLS法
生长机制
R.s.Wagner
AR
SIC晶须
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职称材料
题名
SiCl_(4)-CH_(4)-H_(2)-Ar体系中SiC晶须的VLS法生长
1
作者
周哲仪
陈云
张恒
俞强
陈钢
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期339-339,共1页
文摘
VLS法生长机制首先是由R.s.Wagner和W.C.Ellis在1964年提出的。在我们研究上述体系的同时,日本Gifu大学的Seiji Motojima等在1988年发生了Si_(2)Cl_(6)-CH_(4)-H_(2)-Ar系制备SiC晶须的研究。
关键词
VLS法
生长机制
R.s.Wagner
AR
SIC晶须
分类号
TQ127 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiCl_(4)-CH_(4)-H_(2)-Ar体系中SiC晶须的VLS法生长
周哲仪
陈云
张恒
俞强
陈钢
《人工晶体学报》
CSCD
1991
0
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