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双马来酰亚胺/蒙脱土纳米复合材料的制备及表征
被引量：
3
1
作者
李伟
赵焕伟
+3 位作者
周保全
徐颖
张岩东
金颐如
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期165-167,174,共4页
利用有机蒙脱土(OMMT)对双马来酰亚胺(BMI)树脂进行改性制备纳米复合材料。采用X射线衍射、透射电子显微镜对材料的微观结构进行表征,研究了纳米复合材料的弯曲性能、冲击性能以及动态力学性能。结果表明,当OMMT的质量分数为1%时,蒙脱...
利用有机蒙脱土(OMMT)对双马来酰亚胺(BMI)树脂进行改性制备纳米复合材料。采用X射线衍射、透射电子显微镜对材料的微观结构进行表征,研究了纳米复合材料的弯曲性能、冲击性能以及动态力学性能。结果表明,当OMMT的质量分数为1%时,蒙脱土的片层被充分剥离,纳米复合材料的弯曲强度、弯曲模量和冲击强度均达到最大值,冲击断口形貌显示材料由改性前的脆性断裂转变为韧性断裂。同时,纳米复合材料的玻璃化转变温度(Tg)也得到提高。
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关键词
双马来酰亚胺
二烯丙基双酚A
蒙脱土
纳米复合材料
热固性树脂
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职称材料
TFT-LCD摩擦工艺ESD研究与改善
被引量：
1
2
作者
高荣荣
周保全
+5 位作者
江桥
滕玲
陈维诚
左爱翠
郭红光
韩基挏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期48-52,共5页
摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发...
摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%,大大提高了产品品质,降低了生产成本。
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关键词
摩擦工艺
ESD
大块悬空金属
湿度
防静电液
摩擦布寿命
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职称材料
摩擦Mura机理和设计改善方法
被引量：
1
3
作者
高荣荣
刘俊豪
+4 位作者
周保全
汪剑成
张周生
左爱翠
陈维诚
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期570-575,共6页
摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、...
摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响,孔径直径(5μm)<摩擦布毛直径(11μm),密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5%降至0%,改善效果明显。
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关键词
摩擦Mura
设计因素
ITO
段差(漏极线)
过孔密度
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职称材料
题名
双马来酰亚胺/蒙脱土纳米复合材料的制备及表征
被引量：
3
1
作者
李伟
赵焕伟
周保全
徐颖
张岩东
金颐如
机构
沈阳航空航天大学航空航天工程学部辽宁省高性能聚合物基复合材料重点实验室
出处
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期165-167,174,共4页
基金
航空科学基金(2011ZF54018)
文摘
利用有机蒙脱土(OMMT)对双马来酰亚胺(BMI)树脂进行改性制备纳米复合材料。采用X射线衍射、透射电子显微镜对材料的微观结构进行表征,研究了纳米复合材料的弯曲性能、冲击性能以及动态力学性能。结果表明,当OMMT的质量分数为1%时,蒙脱土的片层被充分剥离,纳米复合材料的弯曲强度、弯曲模量和冲击强度均达到最大值,冲击断口形貌显示材料由改性前的脆性断裂转变为韧性断裂。同时,纳米复合材料的玻璃化转变温度(Tg)也得到提高。
关键词
双马来酰亚胺
二烯丙基双酚A
蒙脱土
纳米复合材料
热固性树脂
Keywords
bismaleimide
diallylbisphenol A
montmorillonite
nanocomposite
thermosetting resin
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
TFT-LCD摩擦工艺ESD研究与改善
被引量：
1
2
作者
高荣荣
周保全
江桥
滕玲
陈维诚
左爱翠
郭红光
韩基挏
机构
合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期48-52,共5页
文摘
摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%,大大提高了产品品质,降低了生产成本。
关键词
摩擦工艺
ESD
大块悬空金属
湿度
防静电液
摩擦布寿命
Keywords
rubbing process
ESD
large floating metal
humidity
electrostatic prevention
rubbing clothing life
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
摩擦Mura机理和设计改善方法
被引量：
1
3
作者
高荣荣
刘俊豪
周保全
汪剑成
张周生
左爱翠
陈维诚
机构
合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期570-575,共6页
文摘
摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响,孔径直径(5μm)<摩擦布毛直径(11μm),密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5%降至0%,改善效果明显。
关键词
摩擦Mura
设计因素
ITO
段差(漏极线)
过孔密度
Keywords
Rubbing Mura
design influence
ITO
height(source data)
via -hole density
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双马来酰亚胺/蒙脱土纳米复合材料的制备及表征
李伟
赵焕伟
周保全
徐颖
张岩东
金颐如
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
TFT-LCD摩擦工艺ESD研究与改善
高荣荣
周保全
江桥
滕玲
陈维诚
左爱翠
郭红光
韩基挏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
摩擦Mura机理和设计改善方法
高荣荣
刘俊豪
周保全
汪剑成
张周生
左爱翠
陈维诚
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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职称材料
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