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利用脂肪酶Novozym 435催化转酯反应对映选择性合成(R)-α-硫辛酸的手性前体
被引量：
3
1
作者
周伟佳
郑高伟
+2 位作者
陈焕辉
朱志荣
许建和
《华东理工大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期53-57,119,共6页
利用商品脂肪酶Novozym 435介导的对映选择性转酯反应催化拆分(R,S)-6-羟基-8-氯辛酸乙酯(ECHO),以合成(R)-α-硫辛酸的手性前体。对酶促拆分反应的条件进行了优化,确定了该酶的最适反应条件:以乙酸乙烯酯为酰基供体,最适反应温度为50&#...
利用商品脂肪酶Novozym 435介导的对映选择性转酯反应催化拆分(R,S)-6-羟基-8-氯辛酸乙酯(ECHO),以合成(R)-α-硫辛酸的手性前体。对酶促拆分反应的条件进行了优化,确定了该酶的最适反应条件:以乙酸乙烯酯为酰基供体,最适反应温度为50°C,以异丙醚为反应介质,酶最适上载量为100g/mol ECHO,可以耐受的底物浓度为1mol/L。在产品的克级制备反应中,6h底物转化率为47%,产物(R)-6-乙酰氧基-8-氯辛酸乙酯的对映体过量值(eep)为90%,时空产率高达471g/(L·d),产品总收率为36.3%。该酶法催化的转酯化反应为(R)-α-硫辛酸的合成提供了一条新的途径。
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关键词
Novozym
435
6-羟基-8-氯辛酸乙酯
转酯反应
(R)-α-硫辛酸
酶促拆分
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职称材料
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
2
作者
周伟佳
龚晓霞
+3 位作者
陈冬琼
肖婷婷
尚发兰
杨文运
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022年第4期351-356,共6页
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面...
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200℃~300℃的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。
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关键词
锑化铟
C-V特性
金属化后退火
原子层沉积
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职称材料
题名
利用脂肪酶Novozym 435催化转酯反应对映选择性合成(R)-α-硫辛酸的手性前体
被引量：
3
1
作者
周伟佳
郑高伟
陈焕辉
朱志荣
许建和
机构
华东理工大学生物反应器工程国家重点实验室生物催化与生物加工研究室
同济大学化学系
出处
《华东理工大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期53-57,119,共6页
基金
国家自然科学基金(31200050
21276082)
+1 种基金
国家"863"计划(2011AA02A210
2011CB710800)
文摘
利用商品脂肪酶Novozym 435介导的对映选择性转酯反应催化拆分(R,S)-6-羟基-8-氯辛酸乙酯(ECHO),以合成(R)-α-硫辛酸的手性前体。对酶促拆分反应的条件进行了优化,确定了该酶的最适反应条件:以乙酸乙烯酯为酰基供体,最适反应温度为50°C,以异丙醚为反应介质,酶最适上载量为100g/mol ECHO,可以耐受的底物浓度为1mol/L。在产品的克级制备反应中,6h底物转化率为47%,产物(R)-6-乙酰氧基-8-氯辛酸乙酯的对映体过量值(eep)为90%,时空产率高达471g/(L·d),产品总收率为36.3%。该酶法催化的转酯化反应为(R)-α-硫辛酸的合成提供了一条新的途径。
关键词
Novozym
435
6-羟基-8-氯辛酸乙酯
转酯反应
(R)-α-硫辛酸
酶促拆分
Keywords
Novozym 435
ethyl 8-chloro-6-hydroxy octanoate
transesterification
（R）-α-lipoic acid
enzymatic resolution
分类号
Q819 [生物学—生物工程]
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职称材料
题名
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
2
作者
周伟佳
龚晓霞
陈冬琼
肖婷婷
尚发兰
杨文运
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022年第4期351-356,共6页
文摘
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200℃~300℃的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。
关键词
锑化铟
C-V特性
金属化后退火
原子层沉积
Keywords
Indium Antimonide
C-V
post metalization annealing
atomic layer deposition
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用脂肪酶Novozym 435催化转酯反应对映选择性合成(R)-α-硫辛酸的手性前体
周伟佳
郑高伟
陈焕辉
朱志荣
许建和
《华东理工大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
2
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
周伟佳
龚晓霞
陈冬琼
肖婷婷
尚发兰
杨文运
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022
0
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