采用固相法制备BiFeO_3-x[BSN-G](x=0~5.0wt%)陶瓷样品,研究添加不同量的BSN-G对Bi FeO_3陶瓷微观形貌,电性能及磁性能的影响。研究结果表明:BSN-G的加入使得陶瓷样品气孔率降低,致密度提高。随着x的增加,陶瓷的介电常数和介电损耗呈逐...采用固相法制备BiFeO_3-x[BSN-G](x=0~5.0wt%)陶瓷样品,研究添加不同量的BSN-G对Bi FeO_3陶瓷微观形貌,电性能及磁性能的影响。研究结果表明:BSN-G的加入使得陶瓷样品气孔率降低,致密度提高。随着x的增加,陶瓷的介电常数和介电损耗呈逐渐降低趋势,当x=5%时,样品在1 k Hz频率下的介电损耗为0.003。此外,添加BSN-G使得BiFeO_3陶瓷的漏导电流降低,x=5%的样品具有饱和的电滞回线,其饱和极化强度PS为1.5μC/cm^2,漏导电流密度J为0.39×10-6A/cm^2。交流阻抗图谱分析表明随着x的增加,样品的电阻呈增大趋势。活化能Ea随x增加而依次降低,进一步说明其损耗呈逐渐降低趋势。随着x的增加,样品的磁性能得到一定改善。展开更多
文摘采用固相法制备BiFeO_3-x[BSN-G](x=0~5.0wt%)陶瓷样品,研究添加不同量的BSN-G对Bi FeO_3陶瓷微观形貌,电性能及磁性能的影响。研究结果表明:BSN-G的加入使得陶瓷样品气孔率降低,致密度提高。随着x的增加,陶瓷的介电常数和介电损耗呈逐渐降低趋势,当x=5%时,样品在1 k Hz频率下的介电损耗为0.003。此外,添加BSN-G使得BiFeO_3陶瓷的漏导电流降低,x=5%的样品具有饱和的电滞回线,其饱和极化强度PS为1.5μC/cm^2,漏导电流密度J为0.39×10-6A/cm^2。交流阻抗图谱分析表明随着x的增加,样品的电阻呈增大趋势。活化能Ea随x增加而依次降低,进一步说明其损耗呈逐渐降低趋势。随着x的增加,样品的磁性能得到一定改善。
