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衬底离子束表面氮化对ZnO薄膜性质的影响
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作者 朱慧群 丁瑞钦 +1 位作者 姚若河 吴桐庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期123-125,共3页
采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底... 采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3∶1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 离子束轰击 衬底表面氮化
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分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱
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作者 朱慧群 丁瑞钦 +1 位作者 王忆 吴桐庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期630-634,共5页
应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米... 应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响。本文对相关机理作了探讨。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 GaAs/SiO2纳米薄膜 氢掺杂 吸收光谱
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