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重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性 被引量：4
1
作者 吕有明 曹培江 +5 位作者 贾芳 柳文军 朱德亮 马晓翠 林传强 刘稳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期307-312,共6页
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电... 以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。 展开更多
关键词 AZO薄膜 Burstein-Moss效应 光电特性
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室温下ZnS－ZnTe应变超晶格的带间跃迁
2
作者 吕有明 杨宝均 +3 位作者 关郑平 陈连春 杨爱华 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期204-209,共6页
本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质．通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究．
关键词 Ⅱ型超晶格 光致发光 硫化锌 碲化锌
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ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
3
作者 吕有明 申德振 +5 位作者 刘益春 范希武 张吉英 李炳辉 支壮志 孔祥贵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期425-428,共4页
通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束... 通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束缚能。结果表明在 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱 (MQWs)势垒层中 ,Mg的引进增强了量子阱的限制效应 ,导致激子具有较好的二维特性。在室温下的 Raman光谱中观测到了多级纵光学声子(LO)和横光学声子 (TO)的限制模 。 展开更多
关键词 多量子阱 光致发光 拉曼光谱
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氧化锌可见区发光机制 被引量：37
4
作者 刘益春 张喜田 +4 位作者 张吉英 吕有明 孔祥贵 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期563-569,共7页
探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧... 探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo 和[Vo ,electron]或[Vo ,twoelectrons]复合体的发光模型。 展开更多
关键词 氧化锌可见区 发光机制 纳米氧化锌薄膜 光致发光 界面 表面钝化
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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量：12
5
作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多
关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底
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MgxZn_(1-x)O合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 被引量：18
6
作者 魏志鹏 吴春霞 +7 位作者 吕有明 张振中 姚斌 张吉英 赵东旭 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期831-833,共3页
利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基... 利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。 展开更多
关键词 MgZnO合金 RAMAN光谱 量子阱 超辐射
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退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 被引量：18
7
作者 王颖 申德振 +4 位作者 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期18-21,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光... 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的 Si团簇形成。通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。 展开更多
关键词 PECVD 光致发光 Si团簇 悬键
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量：9
8
作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子束外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管 被引量：12
9
作者 矫淑杰 吕有明 +6 位作者 申德振 张振中 李炳辉 张吉英 赵东旭 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期499-502,共4页
用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该... 用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。 展开更多
关键词 氧化锌 等离体辅助分子束外延 异质结 发光二极管
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Li掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性 被引量：9
10
作者 王相虎 姚斌 +7 位作者 申德振 张振中 吕有明 李炳辉 魏志鹏 张吉英 赵东旭 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期945-948,共4页
通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品... 通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品室温和低温(12K)光致发光光谱,并根据ZnO∶Li薄膜的低温发光光谱特征,计算出Li相关受主能级位于价带顶137meV处。 展开更多
关键词 氧化锌 合金 退火 真空镀膜 P型掺杂
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N_2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备 被引量：14
11
作者 张振中 魏志鹏 +8 位作者 吕有明 矫淑杰 姚斌 申德振 张吉英 赵东旭 李炳辉 郑著宏 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1026-1028,共3页
采用射频等离子体辅助分子束外延方法，以N2作为掺杂源，以O2作为辅助分解的气体和氧源，通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量，制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性，直流驱动下获得了稳... 采用射频等离子体辅助分子束外延方法，以N2作为掺杂源，以O2作为辅助分解的气体和氧源，通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量，制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性，直流驱动下获得了稳定的室温电致发光，包括位于420nm附近的发光峰和500-700nm的发光带。 展开更多
关键词 氧化锌 发光二极管 N掺杂
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Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响 被引量：8
12
作者 李金华 张吉英 +3 位作者 赵东旭 吕有明 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期615-619,共5页
Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不... Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大。光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量。 展开更多
关键词 光致发光 ZNO MN含量 Mn掺杂结构
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射频溅射功率对AZO薄膜结构及光电特性和热稳定性的影响 被引量：8
13
作者 马晓翠 叶家聪 +4 位作者 曹培江 柳文军 贾芳 朱德亮 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期235-238,共4页
采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结... 采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构,均呈c轴择优取向;(002)衍射峰强和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;随溅射功率的提高,AZO薄膜的透射率有所下降,但在可见光(380～780nm)范围内平均透射率仍>80%;薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小;功率为160～200W时,薄膜的热稳定性最好,升温前后方块电阻变化率为13%。 展开更多
关键词 磁控溅射 AZO薄膜 射频功率 热稳定性
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(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究 被引量：6
14
作者 羊亿 栗红玉 +4 位作者 申德振 张吉英 吕有明 刘益春 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期329-333,共5页
设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结... 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。 展开更多
关键词 复合量子阱 激子隧穿 光学特性 光双稳器件 半导体 光计算机
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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 被引量：8
15
作者 矫淑杰 张振中 +5 位作者 吕有明 申德振 赵东旭 张吉英 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期542-544,共3页
用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在... 用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 p-n同质结 分子束外延
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富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 被引量：8
16
作者 王颖 申德振 +4 位作者 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期103-106,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火。通过X射线光电子能谱(XTP)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在。对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和... 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火。通过X射线光电子能谱(XTP)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在。对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究。由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 光致发光 Si团簇 量子限制效应
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Fe掺杂ZnO纳米薄膜的光致发光(英文) 被引量：7
17
作者 李金华 张吉英 +4 位作者 赵东旭 张振中 吕有明 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期976-980,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了Zn1 -xFexO (x=0.01, 0.05, 0.10)纳米薄膜。X射线衍射谱显示所有样品均具有六角纤锌矿结构。而且在X射线衍射谱中没有发现其他相存在。研究了在不同的溶液浓度、退火温度和Fe浓度下制备的掺杂ZnO薄膜的光致发光... 采用溶胶-凝胶法制备了Zn1 -xFexO (x=0.01, 0.05, 0.10)纳米薄膜。X射线衍射谱显示所有样品均具有六角纤锌矿结构。而且在X射线衍射谱中没有发现其他相存在。研究了在不同的溶液浓度、退火温度和Fe浓度下制备的掺杂ZnO薄膜的光致发光谱。结果表明,热退火提高了样品的光学质量。溶液浓度为0.1 mol/L,且Fe含量较低的条件下,样品的光学质量有所提高。 展开更多
关键词 FE ZNO X射线衍射 光致发光
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分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 被引量：6
18
作者 矫淑杰 梁红伟 +5 位作者 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期460-462,共3页
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延
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一种新的制备ZnO纳米粒子的方法——阴极电沉积法 被引量：7
19
作者 刘英麟 刘益春 +5 位作者 王维彪 马剑钢 张吉英 吕有明 范希武 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期289-292,共4页
用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。沉积薄膜的ZnO粒径尺寸分别为9 8,10 4,14 5nm,随着Z... 用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。沉积薄膜的ZnO粒径尺寸分别为9 8,10 4,14 5nm,随着ZnCl2浓度的增加而增大。薄膜的可见光致发光谱以紫外的自由激子发射为主。研究表明:以浓度为0 03mol/L的ZnCl2电解液制备的ZnO薄膜光学性质最好。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 制备方法 纳米薄膜 阴极电沉积法
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氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响 被引量：7
20
作者 曹培江 林传强 +5 位作者 曾玉祥 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期239-242,共4页
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(... 使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252nm/h)和较好的发光特性:450～580nm附近发射峰最弱,同时～378nm附近的紫外发光峰最强,表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。 展开更多
关键词 氧气流量 脉冲激光沉积 ZNO薄膜
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