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H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响
1
作者
叶展通
朱德亮
+4 位作者
马晓翠
吕有明
柳文军
曹培江
贾芳
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期417-421,共5页
利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化...
利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H2流量比的增加,薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。
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关键词
磁控溅射法
ZnCoO稀磁半导体
H掺杂
Co金属团簇
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职称材料
题名
H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响
1
作者
叶展通
朱德亮
马晓翠
吕有明
柳文军
曹培江
贾芳
机构
深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期417-421,共5页
基金
国家自然科学基金(60976036)
广东省千百十工程项目
+2 种基金
深圳市科技计划项目
深圳市特种功能材料重点实验室开放基金(T0901
T201101)资助项目
文摘
利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H2流量比的增加,薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。
关键词
磁控溅射法
ZnCoO稀磁半导体
H掺杂
Co金属团簇
Keywords
magnetron sputtering method
ZnCoO diluted magnetic semiconductor
H doping
Co metal clusters
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响
叶展通
朱德亮
马晓翠
吕有明
柳文军
曹培江
贾芳
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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