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MeV能区HPGeγ探测器本征效率和γ剂量的确定 被引量:3
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作者 叶宗垣 丁声耀 +3 位作者 李宇兵 丁锡祥 包宗渝 杨小芸 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期419-427,共9页
使用多线γ放射源、氯化钠热中子俘获γ射线源、 ̄(19)F(p,αγ)源以及镍热中子俘获γ源来得到全能峰、单逃逸峰和双逃逸峰在700-9000keV能区范围内探测器本征效率值随能量变化的曲线。所得结果用来确定镍热中子俘... 使用多线γ放射源、氯化钠热中子俘获γ射线源、 ̄(19)F(p,αγ)源以及镍热中子俘获γ源来得到全能峰、单逃逸峰和双逃逸峰在700-9000keV能区范围内探测器本征效率值随能量变化的曲线。所得结果用来确定镍热中子俘获γ场, ̄(19)F(p,αγ)反应γ场及反应堆重水循环系统上 ̄(16)O(n,p) ̄(16)N反应γ场的γ剂量,并将其与用电离室测试的结果进行比较。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 γ本征效率 MeV能区γ射线 γ空气比释动量率
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一个高能量多线γ放射源
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作者 叶宗垣 李宇兵 +1 位作者 丁声耀 李景文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期52-54,共3页
一、引言文献[1]已报导过用Am-Be源中子被镍俘获后产生的γ放射源,它可用于γ探测器的性能刻度,特别是Ge(Li)探测器的刻度。为了使这种γ射线源能用于更宽的能量范围和低分辨探测器,我们对样品的结构作了改进、并用NaI(Tl)和BGO探测器... 一、引言文献[1]已报导过用Am-Be源中子被镍俘获后产生的γ放射源,它可用于γ探测器的性能刻度,特别是Ge(Li)探测器的刻度。为了使这种γ射线源能用于更宽的能量范围和低分辨探测器,我们对样品的结构作了改进、并用NaI(Tl)和BGO探测器进行了测试。这种多线γ放射源可以对分辨率差的探测器在1~9 展开更多
关键词 高能γ源 Am-Be中子源 Γ探测器
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准单能6—7MeV γ射线参考辐射场的建立和对6.13MeV能点γ探测效率的绝对刻度 被引量:6
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作者 丁声耀 李宇兵 +5 位作者 叶宗垣 容超凡 杨晓芸 郑金美 包宗渝 丁锡祥 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期9-16,共8页
建立了准单能6—7 MeVγ射线参考辐射场并介绍了有关特性;重点描述在E_γ=6.13 MeV能点对NaI(Tl)γ探测器的探测效率的绝对刻度方法;给出了实验结果并对实验误差进行了讨论。
关键词 辐射场 辐射防护 Γ辐射 Γ探测
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探测器校准用的6130keV单能γ源 被引量:2
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作者 丁锡祥 丁声耀 +3 位作者 汪幼梅 杨小芸 叶宗垣 李宇兵 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期361-364,共4页
通过混合 ̄238Puα辐射体和 ̄13C制得单能6130keV高能γ射线校准源,测量了HPGe探测器效率、标准源的中于发射率、γ射线能谱及其发射率,讨论了不同投料比和工艺。
关键词 高能 Γ射线 校准源 Γ探测器
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80MeVCu离子与Zn原子碰撞中双电子单光子的发射 被引量:1
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作者 董志强 周书华 +2 位作者 李景文 胡爱东 叶宗垣 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期241-242,共2页
高速离子原子碰撞过程中,经历离子+原子-准分子-准原子-离子+原子过程。根据Fano和Lichten提出的电子提升分子轨道模型,在形成准分子的过程中,内壳层的电子可能被提升到更高的能级。如K壳层出现两个空穴,并且由外壳层的两个电子同时关... 高速离子原子碰撞过程中,经历离子+原子-准分子-准原子-离子+原子过程。根据Fano和Lichten提出的电子提升分子轨道模型,在形成准分子的过程中,内壳层的电子可能被提升到更高的能级。如K壳层出现两个空穴,并且由外壳层的两个电子同时关联跃迁,填充空穴,而只放出一个光子,这就是双电子单光子(TET)过程。 本实验是在HI-13串列加速器上进行的。用Si(Li)探测器测量能量为80MeV,电荷态分别为7+,8+,9+,10+,11+的Cu离子束打在Zn靶上产生的KX射线谱, 展开更多
关键词 原子碰撞 MeVCu离子 Zn原子 内壳层 单光子发射 串列加速器 分子轨道 入射离子 子过程 线谱
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