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浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：2: 1; 作者于宗光陆锋 +4 位作者徐征叶守银黄卫王万业许居衍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页; 本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .; 关键词 EEPROM 浮栅隧道氧化层电荷泄漏; 在线阅读下载PDF 职称材料

FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：1: 2; 作者于宗光徐征 +4 位作者叶守银张国华黄卫王万业许居衍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页; 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 展开更多; 关键词 EEPROM 隧道氧化层擦写过程陷阱俘获电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计被引量：1: 3; 作者于宗光叶守银 +2 位作者夏树荣徐征杨功成《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期57-59,共3页; 提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。; 关键词 MOS 专用集成电路输入保护电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

FPGA中六倍连线资源的测试: 4; 作者叶守银祁建华徐惠《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期900-904,共5页; 通过分析SPARTAN-II FPGA器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计。所提出的把六倍资源连线分别配置成多条横向和纵向环形链路的测试配置设计,提高了测试覆盖率,尽可能地减少了测试... 展开更多; 关键词六倍连线资源可配置逻辑模块(CLB) 测试配置设计测试效率延展性; 在线阅读下载PDF 职称材料

FPGA中六倍连线资源的测试: 5; 作者叶守银祁建华徐惠《电子与封装》 2012年第9期24-27,30,共5页; 文章通过分析SPARTAN-II FPGA(Field Programmable Gate Arrays)器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计,文中所提出的连线资源测试配置设计具有很强的延展性,可应用到SPARTAN-II系... 展开更多; 关键词六倍连线资源相邻CLB短连线测试配置设计测试效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种简化的E^2PROM存储管I—V模型: 6; 作者于宗光叶守银 +5 位作者傅斌许居衍夏树荣黄卫徐征魏同立《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期163-166,共4页; 提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。; 关键词电可擦可编程只读存储器存储管 E^2PROM; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：2: 1; 作者于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍; 机构信息产业部微电子科研中心; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页; 基金江苏省青年科技基金!(No.BQ960 4 0 ); 文摘本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .; 关键词 EEPROM 浮栅隧道氧化层电荷泄漏; Keywords EEPROM floating gate tunnel oxide charge leakage; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：1: 2; 作者于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍; 机构信息产业部无锡微电子科研中心; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页; 基金江苏省青年科技基金!(BQ960 4 0 ); 文摘本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .; 关键词 EEPROM 隧道氧化层擦写过程陷阱俘获电荷; Keywords EEPROM Tunnel oxide Trapped charge Endurance Erase/Write Threshold voltage Field; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计被引量：1: 3; 作者于宗光叶守银夏树荣徐征杨功成; 机构无锡微电子科研中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期57-59,共3页; 基金江苏省自然科学基金资助项目; 文摘提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。; 关键词 MOS 专用集成电路输入保护电路设计; Keywords MOS ASIC Input Protect; 分类号 TN432.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FPGA中六倍连线资源的测试: 4; 作者叶守银祁建华徐惠; 机构上海华岭集成电路技术股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期900-904,共5页; 文摘通过分析SPARTAN-II FPGA器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计。所提出的把六倍资源连线分别配置成多条横向和纵向环形链路的测试配置设计,提高了测试覆盖率,尽可能地减少了测试配置文件数量。测试验证表明这样的连线资源测试配置设计方法,可直接应用到SPARTAN-II系列的所有型号FPGA的测试。通过更改测试模型数据,甚至可以应用于VIRTEX系列的FPGA测试。这种测试配置设计的特点是:测试效率高且具有高的测试覆盖率、测试结构清晰易于故障定位、延展性强可应用于其他型号的FPGA测试。; 关键词六倍连线资源可配置逻辑模块(CLB) 测试配置设计测试效率延展性; Keywords hex lines routing resource configurable logic block（CLB） design of testing configuration test efficiency scalable; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FPGA中六倍连线资源的测试: 5; 作者叶守银祁建华徐惠; 机构上海华岭集成电路技术股份有限公司; 出处《电子与封装》 2012年第9期24-27,30,共5页; 文摘文章通过分析SPARTAN-II FPGA(Field Programmable Gate Arrays)器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计,文中所提出的连线资源测试配置设计具有很强的延展性,可应用到SPARTAN-II系列的几乎所有型号FPGA,甚至可以延伸应用到VIRTEX系列FPGA的连线资源测试,此种测试配置设计易于计算测试覆盖率,这样的测试开发方法已经成功应用于XC2S100、XC2S150、XCV300等型号FPGA的测试。; 关键词六倍连线资源相邻CLB短连线测试配置设计测试效率; Keywords hex lines routing resources adjacent routing resources design of testing configuration test efficiency; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种简化的E^2PROM存储管I—V模型: 6; 作者于宗光叶守银傅斌许居衍夏树荣黄卫徐征魏同立; 机构华晶电子集团中央研究所东南大学微电子中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期163-166,共4页; 基金江苏省青年科技基金; 文摘提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。; 关键词电可擦可编程只读存储器存储管 E^2PROM; Keywords E2PROMFLOTOXE2PROMCellCurrentvoltageModelDesignEEACC:1265 D; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究	于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究	于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计	于宗光叶守银夏树荣徐征杨功成	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	FPGA中六倍连线资源的测试	叶守银祁建华徐惠	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	FPGA中六倍连线资源的测试	叶守银祁建华徐惠	《电子与封装》	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种简化的E^2PROM存储管I—V模型	于宗光叶守银傅斌许居衍夏树荣黄卫徐征魏同立	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料