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硅基光功率监测技术的最新进展 被引量:1
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作者 卫欢 余辉 +6 位作者 邵海峰 李霞 李燕 姜建飞 秦晨 叶乔波 江晓清 《光通信研究》 北大核心 2015年第6期20-29,共10页
随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及... 随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。 展开更多
关键词 硅基光电子器件 光功率监测器 光电探测器
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