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SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析
1
作者 曹一江 史良钰 +2 位作者 王振群 陈建春 刘晓为 《电子器件》 CAS 2009年第2期364-367,共4页
测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能... 测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。 展开更多
关键词 功率晶体管 反向击穿曲线 半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS) 双线击穿 扫描电镜
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电容型传感器接口电路的研究 被引量：1
2
作者 陈建春 曹一江 +1 位作者 王振群 史良钰 《信息技术》 2009年第2期119-122,共4页
设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度。基于0.6μm CMOS工艺对电... 设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度。基于0.6μm CMOS工艺对电路进行了设计,并对整体接口电路进行了仿真。仿真结果表明,与传统的接口电路相比,该电路具有高增益与高精度的特点,从而更好地实现了对微小电容的检测。 展开更多
关键词 开关电容 CMOS集成 运算放大器
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