GaAs　DCFL电路研究

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作者 史常忻 唐标 +1 位作者 李晓明 王庆康 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期156-160,共5页

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

关键词 砷化镓 集成电路 设计 DCFL电路

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BRAQWET能带结构和优化设计参量

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作者 史常忻 K.Heime 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期25-28,共4页

对 n型源区、p型势垒区和具有 δ(p+ )薄层势垒区的两种结构 BRAQWET的能带模型 ,作了严格的定量分析 ,由此可以导出设计良好器件的优化参量。这是设计

关键词 BRAQWET 化合物半导体 光调制器 电光调制 能带结构 优化设计

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GaAs微条粒子探测器的设计 被引量：2

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作者 邵传芬 史常忻 +1 位作者 凌行 温伯莹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期60-63,共4页

介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0... 介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。 展开更多

关键词 GAAS 微条粒子 探测器 反向电击穿 二极管

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GaAs上反应溅射WN_x薄膜特性研究 被引量：2

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作者 毛大立 俞伟丽 +1 位作者 林栋梁 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期95-99,共5页

本文用反应溅射方法,制备了WN_x薄膜,用X光衍射、俄歇能谱深度成分分析、表面电阻测量及电流—电压曲线,测量、研究了WN_x薄膜的性能及与GaAs的肖特基势垒特性.

关键词 GAAS WN薄膜 溅射 工艺

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GaAs粒子探测器的能谱特性 被引量：1

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作者 邵传芬 史常忻 +1 位作者 陈宏芳 李澄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期200-205,共6页

阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线... 阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 。 展开更多

关键词 能谱 砷化镓 离子探测器

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双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究 被引量：2

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作者 邵传芬 史常忻 徐秀琴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期24-27,共4页

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，... 研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。 展开更多

关键词 砷化镓 探测器 抗辐照

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Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试 被引量：1

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作者 邵传芬 史常忻 张利民 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期98-100,共3页

提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射... 提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器． 展开更多

关键词 肖特基结构 辐射 半导体探测器 粒子探测器

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MSM光电探测器特性二维数值模拟 被引量：2

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作者 王庆康 史常忻 Wolfram Bettermann 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期321-325,共5页

为了解释在InGaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM—PD)内光产生载流子的行为及器件内电场分布,本文用有限元法数值求解了含复合项的二维泊松方程、电流连续方程及电荷俘获速率方程。得到了InGaAs MSM光电探测器的电流—电压特性及器件... 为了解释在InGaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM—PD)内光产生载流子的行为及器件内电场分布,本文用有限元法数值求解了含复合项的二维泊松方程、电流连续方程及电荷俘获速率方程。得到了InGaAs MSM光电探测器的电流—电压特性及器件内电场和载流子分布。模拟结果解释了实验观察到的雪崩击穿现象,并表明电子电流比空穴电流提前饱和。 展开更多

关键词 光电探测器 模拟

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GaAs粒子探测器对低能X射线的响应 被引量：1

9

作者 邵传芬 史常忻 张利民 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期207-211,共5页

GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传... GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传感器。 展开更多

关键词 X射线 砷化镓 探测器 线性传感器

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钨氮化物薄膜与GaAs接触热力学稳定性

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作者 毛大立 林栋梁 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期46-49,共4页

从反应热力学计算的角度，对ＷＮｘ／ＧａＡｓ界面可能存在的界面反应，进行了估计和讨论，结果表明，ＷＮｘ薄膜在ＧａＡｓ衬底上是稳定的，这种热力学稳定性是薄膜和衬底界面接触电学性能稳定性的基本保证，实验现象与此结果相一致。

关键词 钨氮化物 薄膜 GAAS 热力学 砷化镓

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InGaAs MSM-PD肖特基势垒增强层的研究

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作者 朱红卫 史常忻 陈益新 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第4期424-428,共5页

通过在n型InGaAs光吸收层与金属接触间加入p型InGaAs势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了理论和实验研究．

关键词 光电探测器 势垒增强层 MSM-PD 肖特基势垒

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低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

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作者 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期213-214,共2页

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特... W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备. 展开更多

关键词 金属材料 WSI MOWSi 工艺粉末冶金

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InP光电子集成电路接收机前端的研究进展

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作者 朱红卫 史常忻 《半导体情报》 1997年第4期23-25,共3页

由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。

关键词 光电子集成电路 光接收机 磷化铟

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GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究 被引量：3

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作者 李志奇 王庆康 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期224-229,共6页

报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插... 报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。 展开更多

关键词 砷化镓 光电探测器 光电特性

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具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算 被引量：2

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作者 覃化 史常忻 王森章 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期176-180,共5页

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。

关键词 肖特基势垒 势垒增强层 暗电流特性 MSM-PD

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热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响 被引量：1

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作者 孙良泉 金能韫 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期147-151,共5页

主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到... 主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。 展开更多

关键词 砷化镓 退火 电阻率 半导体 晶片

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影响WSi_x与GaAs接触特性的因素

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作者 李晓明 史常忻 忻尚衡 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期186-189,共4页

自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主... 自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的. 展开更多

关键词 WSIX GAAS 接触特性 肖特基势垒

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Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)

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作者 吴鼎芬 杨悦非 +2 位作者 季良赳 忻尚衡 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期176-182,共7页

制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型... 制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。 展开更多

关键词 双栅 增强型 电子气 MESFET TEGFET GA x)Al_xAs/GaAs 晶体管 半导体三极管 夹断电压 异质结构 二维

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