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冠心胶囊成型辅料的选择与工艺研究 被引量:10
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作者 李奉勤 史冬霞 +1 位作者 李晓瑞 马静 《中国现代中药》 CAS 2006年第8期21-22,33,共3页
目的:优选冠心胶囊的最佳辅料与制剂成型工艺。方法:通过测定不同辅料配比生产的样品和选定的最佳辅料制成的颗粒的吸湿率和休止角并进行比较,确定生产工艺参数。结果:用微晶纤维素作辅料制成颗粒效果较佳。结论:本研究为冠心胶囊大生... 目的:优选冠心胶囊的最佳辅料与制剂成型工艺。方法:通过测定不同辅料配比生产的样品和选定的最佳辅料制成的颗粒的吸湿率和休止角并进行比较,确定生产工艺参数。结果:用微晶纤维素作辅料制成颗粒效果较佳。结论:本研究为冠心胶囊大生产提供依据。 展开更多
关键词 冠心胶囊 成型工艺 休止角 吸湿率
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中药注射剂生产过程中热原的防止与处理 被引量:3
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作者 李奉勤 史冬霞 +2 位作者 薛彦朝 李晓瑞 张卉朱 《中国现代中药》 CAS 2006年第12期31-32,共2页
对中药注射剂生产过程中热原的来源进行了分析并探讨了热原的防止及处理措施。
关键词 中药注射剂 热原
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康妇消炎栓成型工艺研究 被引量:2
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作者 李奉勤 李凤芝 +3 位作者 史冬霞 李晓瑞 薛彦朝 刘风珍 《中国现代中药》 CAS 2006年第10期19-21,39,共4页
目的:优选康妇消炎栓的制备工艺。方法:用正交设计法对提取后浸膏的喷雾干燥工艺进行了研究、并对喷雾干燥后的成型工艺进行了研究。结果:喷雾最佳工艺为浸膏相对密度2·10、进风温度200℃、出口温度100℃;确定了成型工艺。结论:该... 目的:优选康妇消炎栓的制备工艺。方法:用正交设计法对提取后浸膏的喷雾干燥工艺进行了研究、并对喷雾干燥后的成型工艺进行了研究。结果:喷雾最佳工艺为浸膏相对密度2·10、进风温度200℃、出口温度100℃;确定了成型工艺。结论:该工艺合理,适合于大生产。 展开更多
关键词 康妇消炎栓 正交设计 成型工艺
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用正交试验法优选葛根胶囊喷雾干燥的最佳工艺 被引量:1
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作者 李奉勤 史冬霞 +1 位作者 叶晓红 薛彦朝 《中国现代中药》 CAS 2006年第5期13-15,共3页
目的:确定葛根胶囊喷雾干燥的最佳工艺。方法:用正交试验法对葛根胶囊喷雾干燥的工艺进行优选,以喷雾粉中葛根素的含量和水分为指标,选用L9(34)正交试验表进行正交试验。考察影响葛根胶囊喷雾干燥试验的3个因素分别为:浸膏相对密度(A)... 目的:确定葛根胶囊喷雾干燥的最佳工艺。方法:用正交试验法对葛根胶囊喷雾干燥的工艺进行优选,以喷雾粉中葛根素的含量和水分为指标,选用L9(34)正交试验表进行正交试验。考察影响葛根胶囊喷雾干燥试验的3个因素分别为:浸膏相对密度(A)、进风温度(B)、出口温度(C),每个因素取3个水平。结果:葛根胶囊喷雾干燥的最佳工艺为浸膏比重1·10、进风温度200℃、出口温度80℃。结论:该工艺适合于葛根胶囊浸膏的喷雾干燥。 展开更多
关键词 葛根胶囊 喷雾干燥 正交试验 葛根素 最佳工艺
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正交设计法在中药喷雾干燥工艺研究中的应用 被引量:8
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作者 薛彦朝 李奉勤 +2 位作者 史冬霞 李晓瑞 马静 《中国医药导报》 CAS 2006年第23期20-21,共2页
目的对正交试验设计在中药喷雾干燥工艺研究中的应用进行了综述。方法查阅文献。结果近年来正交设计法在我国中药喷雾干燥工艺研究中也被广泛应用,且在多指标的应用与综合平分方面有所进展。结论我们对近年来正交设计在中药喷雾干燥工... 目的对正交试验设计在中药喷雾干燥工艺研究中的应用进行了综述。方法查阅文献。结果近年来正交设计法在我国中药喷雾干燥工艺研究中也被广泛应用,且在多指标的应用与综合平分方面有所进展。结论我们对近年来正交设计在中药喷雾干燥工艺研究中的应用情况做一总结,为中药喷雾干燥工艺的研究提供一种思路。 展开更多
关键词 正交设计法 喷雾干燥 工艺研究
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活跃课堂气氛 感受语文魅力——语文教学心得点滴谈
6
作者 史冬霞 《成才之路》 2011年第23期37-37,共1页
一节死气沉沉的语文课,使我积极进行课堂改革,首先树立"以学生为中心"的教学理念,设计适合自己学生的教学环节;其次以"培养现代社会需要的人才"为原则,提高学生的语文素养;最后以"课堂多提问"为手段,给学生展示自己才华的机会。
关键词 以学生为中心 现代社会需要的人才 课堂提问
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深亚微米SOI工艺SoC设计中天线效应的消除
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作者 王淑芬 史冬霞 桂江华 《电子与封装》 2020年第4期53-57,共5页
深亚微米SOI片上系统芯片(SoC)因其工艺特性,按照常规的布局布线(PNR)流程,出现了约一万个天线效应违规。介绍了一种在布局布线阶段不插入反偏二极管就可以消除大量天线效应违规的优化迭代流程。通过对天线效应的产生以及天线比率公式... 深亚微米SOI片上系统芯片(SoC)因其工艺特性,按照常规的布局布线(PNR)流程,出现了约一万个天线效应违规。介绍了一种在布局布线阶段不插入反偏二极管就可以消除大量天线效应违规的优化迭代流程。通过对天线效应的产生以及天线比率公式的分析,从线长和栅面积角度考虑天线效应的修复,结合自动布局布线设计工具SoC Encounter对这些因素的控制,可以在布局布线阶段消除天线效应的违规,并能与版图验证的结果保持一致。在一款通用抗辐照SoC芯片的设计中,应用该优化流程在布局布线阶段消除了设计中的天线效应违规,有效节约了芯片整体设计时间。 展开更多
关键词 SOI工艺 天线效应 天线规则 布局布线
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