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引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量：1: 1; 作者朱洪滨潘佩聪 +5 位作者颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期174-178,共5页; 用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。; 关键词 Mg2SiO4:Cr 铬晶体提拉法激光; 在线阅读下载PDF 职称材料

静态温梯法中纵向温度分布对固液界面形状的影响被引量：1: 2; 作者潘佩聪卢志英 +2 位作者颜声辉邓佩珍干福熹《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第1期45-52,共8页; 本文证明了静态温梯法中坩埚侧壁处的纵向温度分布 T_(?)(z)的函数形式,对坩埚中固液等温面的凸度有着重要影响作用。指出通过温度场“调零”过程后,利用(?)~2T_(?)(z)/(?)z^2的符号和大小来判断坩埚中固液面凸度分布情况。并且认为在... 展开更多; 关键词温梯法等温线固液界面凸度; 在线阅读下载PDF 职称材料

静态温梯法中瞬时降温速率对固液界面形状的影响被引量：1: 3; 作者潘佩聪卢志英 +2 位作者颜声辉邓佩珍干福熹《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第2期171-176,共6页; 本文用解析和数值计算的方法,证明了静态温梯法晶体生长中,瞬时降温速率有使固液等温面下移且变得更凹的倾向,定义了降温显热数 De=R^2pc_pCo/k(T_h-T_c),用来表征瞬时降温速率使固液等温面变凹的程度。; 关键词静态温梯法晶体生长降温速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶体生长温度场的计算机模拟: 4; 作者卢志英潘佩聪颜声辉《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期231-231,共1页; 由于实际生长系统在结构和传热参数上的复杂性,通过实验方法来研究温度场的变化规律是极其困难的。因而,这项工作的理论研究显得更加重要。利用有限元计算法和计算机进行温度场模拟显示了明显的灵活性和有效性,存在的问题是如何改进计... 展开更多; 关键词计算机模拟晶体生长温度场; 在线阅读下载PDF 职称材料

铁路经济责任制形式小议: 5; 作者卢志英《铁道运输与经济》 1984年第2期27-33,共2页; （一）承包内容即承包或企业管理的本质，也是目的。也就是宏观与微观的统一。使国家计划、生产目的、服务方向、内部协调与企业个人的盈利、权益，通过经济责任制、权力、按劳分配的结合达到相对平衡。; 关键词国家计划内部协调服务方向企业经济指标层财务管理管理手段相对平衡企业所得税扩大企业自主权; 在线阅读下载PDF 职称材料

坩埚热导率对晶体生长温度场的影响: 6; 作者卢志英潘佩聪《上海机械学院学报》 1992年第1期85-92,共8页; 本文通过有限元数值方法计算了坩埚热导率对晶体生长温度场的影响,指出当坩埚热导率大于晶体材料的热导率时,生长区域的纵向温梯会有大幅度减小,反之,温梯变化较小。并且认为当坩埚侧面与环境的热交换系数很大时,坩埚热导率的影响作用... 展开更多; 关键词晶体生长热导率坩埚温度场; 在线阅读下载PDF 职称材料

1985—1988年专利申请统计综述: 7; 作者卢志英《知识产权》 CSSCI 1989年第3期32-35,28,共5页; 专利法从1985年4月1日开始施行,至今已有将近四年的时间。到目前为止,我国已受理专利申请92969件,授权专利近21500件。我国专利事业起步不久,许多问题值得深入研究,笔者试图从申请量的角度,打开一个窗口,通过统计分析,同国外进行比较,... 展开更多; 关键词专利申请量技术市场申请专利专利工作专利法实用新型环比增长速度专利制度构成比经济增长速度; 在线阅读下载PDF 职称材料

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