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铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征
被引量：
5
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作者
马骕驭
马传贺
+5 位作者
卢小双
李国帅
孙琳
陈晔
越方禹
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期92-98,共7页
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_...
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_(Zn)相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。
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关键词
禁带宽度
半导体缺陷
光谱表征
铜锌锡硫
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职称材料
题名
铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征
被引量：
5
1
作者
马骕驭
马传贺
卢小双
李国帅
孙琳
陈晔
越方禹
褚君浩
机构
华东师范大学物理与电子科学学院极化材料与器件教育部重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期92-98,共7页
基金
国家自然科学基金(61790583,61874043,61874045,61574057
61574059)
+1 种基金
航空科学基金(201824X8001)
国家重点研发计划(2016YFB0501604)~~
文摘
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_(Zn)相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。
关键词
禁带宽度
半导体缺陷
光谱表征
铜锌锡硫
Keywords
bandgap
semiconductor defects
spectroscopy characterization
Cu2ZnSnS4
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征
马骕驭
马传贺
卢小双
李国帅
孙琳
陈晔
越方禹
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
5
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职称材料
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