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题名氧化锌基忆阻器件研究进展
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作者
史佳娟
单旋宇
王中强
徐海阳
刘益春
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机构
东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
北大核心
2025年第5期753-769,共17页
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基金
国家重点研发计划(2023YFB4402301)。
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文摘
忆阻器因其具有结构简单、可集成密度高、运行功耗低等优势,在高效信息存储处理、类脑突触功能模拟等领域有着良好的应用前景。氧化锌材料具有制备工艺简单、室温激子稳定性优异、生物相容性良好等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料之一。本文综述了近年来氧化锌基忆阻器件的研究进展,包括氧化锌基忆阻器件的阻变特性与运行机制、突触认知功能模拟、相关神经形态功能及应用。首先,介绍了氧化锌基忆阻器件的阻变特性及其运行机制,包括电信号和光信号调制的阻变行为;在此基础上,依据不同的阻变特性依次介绍了基于忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括突触可塑性和进阶学习法则模拟;进一步介绍了忆阻器件在神经形态计算方面的应用,包括逻辑运算、模式识别和多模式感存算一体化功能;最后,总结氧化锌基忆阻器件现阶段面临的挑战,并对未来发展趋势进行了展望。
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关键词
氧化锌
忆阻器
光电忆阻器
人工突触
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Keywords
zinc oxide
memristor
optoelectronic memristor
artificial synapse
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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