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直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验被引量：5: 1; 作者单尼娜吕长志 +2 位作者马卫东李志国郭春生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期172-175,共4页; 基于恒定电应力温度斜坡法（CETRM），对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究，考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况，得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下，VDMOS失效激... 展开更多; 关键词纵向双扩散金属氧化物半导体激活能寿命恒定电应力温度斜坡法; 在线阅读下载PDF 职称材料

高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究被引量：3: 2; 作者王立新单尼娜 +2 位作者夏洋宋李梅韩郑生《电子设计工程》 2012年第11期76-78,81,共4页; 为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170～240℃,240～290℃,以及290～340℃分别具... 展开更多; 关键词高温失效机理加速寿命试验 PNP; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究被引量：1: 3; 作者王立新单尼娜 +2 位作者刘刚韩郑生夏洋《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期769-771,共3页; 对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上。; 关键词双扩散场效应晶体管阈值漂移条形栅; 在线阅读下载PDF 职称材料