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提高硅CVD外延参数的新技术研究
1
作者
刘玉岭
单富洲
+2 位作者
徐晓辉
庄天
张德臣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期32-34,共3页
分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
关键词
硅
CVD
外延
优化
工艺
在线阅读
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职称材料
题名
提高硅CVD外延参数的新技术研究
1
作者
刘玉岭
单富洲
徐晓辉
庄天
张德臣
机构
河北工学院电子系半导体技术研究室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期32-34,共3页
文摘
分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
关键词
硅
CVD
外延
优化
工艺
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
提高硅CVD外延参数的新技术研究
刘玉岭
单富洲
徐晓辉
庄天
张德臣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
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