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一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
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作者 鹿祥宾 单书珊 +3 位作者 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 《微电子学与计算机》 2024年第9期126-134,共9页
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对... 为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对测试结果进行了线性函数、多次函数、幂函数、指数函数及Dreesen R函数拟合;通过分析当前业界LDMOS器件的热载流子注入测试主流模型预测精度的局限性,找出了最优热载流子模型,提出了适合Python语言编程的改进型Dreesen R模型;通过数学解析推导方法以及基于Python语言的计算机辅助编程计算,得出了栅极以及漏极全工作电压范围内的热载流子参数退化曲线;通过模拟工作波形不同上升沿及下降沿的函数曲线、上升及下降时间以及不同占空比,得出随着时间变化的交直流转换因子曲线。最终新的测试项目可以通过不同电压下的直流状态下测试结果以及已经得到的交直流转换因子曲线,来直接获取工作场景交流状态的热载流子寿命。该评估方法解决了采用直流状态下的测试来解决现场复杂应用波形的热载流子寿命评估难题,较大节省了测试时间,提高了寿命预测精度。 展开更多
关键词 40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应
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基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析 被引量:3
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作者 赵扬 陈燕宁 +1 位作者 单书珊 赵明敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期72-76,共5页
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机... 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 展开更多
关键词 电可擦可编程只读存储器(EEPROM) 失效分析 电压衬度(VC) 聚焦离子束(FIB) 栅氧化层 缺陷
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适用于高密度封装的失效分析技术及其应用 被引量:4
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作者 刘晓昱 陈燕宁 +5 位作者 李建强 乔彦彬 马强 单书珊 张海峰 唐晓柯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期310-315,共6页
高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技... 高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势。并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因。最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围。 展开更多
关键词 失效分析 高密度封装 可靠性 计算机辅助层析成像(CT)技术 键合失效
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