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题名X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
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作者
刘涵潇
喻忠军
范景鑫
张德生
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机构
中国科学院空天信息创新研究院
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
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出处
《电子技术应用》
2025年第3期39-43,共5页
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文摘
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。
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关键词
功率放大器
高效率
X波段
连续类
单片微波集成电路
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Keywords
power amplifier
high efficiency
X-band
continuous-mode
monolithic microwave integrated circuit
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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