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双频带低噪声放大器设计
被引量：
2
1
作者
刘波宇
张万荣
+2 位作者
谢红云
金冬月
丁春宝
《电子器件》
CAS
2011年第3期278-281,共4页
基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤...
基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。
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关键词
双频带
频率转换
低噪声放大器
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职称材料
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
被引量：
4
2
作者
丁春宝
张万荣
+7 位作者
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准...
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
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关键词
低噪声放大器(LNA)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
电阻反馈
线性度
共射-共基放大器
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职称材料
一种双频带低噪声放大器的设计与实现
被引量：
2
3
作者
张正
刘波宇
张延华
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第4期824-828,共5页
设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。...
设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。结果表明,在2.4 GHz和5.8 GHz两点上,增益S21分别为15 dB和13 dB,噪声系数为3.6 dB和4.5 dB,S11和S22的模拟与实测结果均小于-10 dB。
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关键词
双频带
低噪声放大器
微带线
输入输出匹配
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职称材料
题名
双频带低噪声放大器设计
被引量：
2
1
作者
刘波宇
张万荣
谢红云
金冬月
丁春宝
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《电子器件》
CAS
2011年第3期278-281,共4页
基金
国家自然科学基金(60376033
60776051
+2 种基金
61006044
61006059)
北京市自然基金(4082007)
文摘
基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。
关键词
双频带
频率转换
低噪声放大器
Keywords
dual-band
frequency transformation
low noise amplifier
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
被引量：
4
2
作者
丁春宝
张万荣
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1070-1076,共7页
基金
国家自然科学基金（60776051,61006044,61006059）和北京市自然科学基金（4082007,4122014）资助项目.
文摘
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
关键词
低噪声放大器(LNA)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
电阻反馈
线性度
共射-共基放大器
Keywords
low noise amplifier （LNA）, SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT）, resistance feedback, linearity, Cascode
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种双频带低噪声放大器的设计与实现
被引量：
2
3
作者
张正
刘波宇
张延华
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第4期824-828,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61571021
61574010)
文摘
设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。结果表明,在2.4 GHz和5.8 GHz两点上,增益S21分别为15 dB和13 dB,噪声系数为3.6 dB和4.5 dB,S11和S22的模拟与实测结果均小于-10 dB。
关键词
双频带
低噪声放大器
微带线
输入输出匹配
Keywords
dual-band
low noise amplifier
micro-stripe line
input and output matching
分类号
TN722.7 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双频带低噪声放大器设计
刘波宇
张万荣
谢红云
金冬月
丁春宝
《电子器件》
CAS
2011
2
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职称材料
2
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
丁春宝
张万荣
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种双频带低噪声放大器的设计与实现
张正
刘波宇
张延华
《电子器件》
CAS
北大核心
2017
2
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职称材料
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